Micro LED制备流程主要包括以下几个步骤: 1.外延片生长 选择合适的衬底材料,如蓝宝石、硅等。 在衬底上通过外延生长技术生长出高质量的GaN或其他半导体材料薄膜。 外延生长过程中需要精确控制温度、压力、气体流量等参数,以确保薄膜的质量和性能。 2.芯片制造 在外延片上通过光刻、蚀刻等工艺制造出Micro LED芯片的图...
倒装Micro LED 芯片由 n 型和 p 型半导体及其中间的多量子阱有源区构成,通过传统 LED 外延晶片制备。Micro LED 材料取决于所需的发射波长:蓝绿光 LED 采用 GaN 基晶圆,红色 LED 采用 AlGaInP 基晶圆。多层 GaN 材料首先生长在蓝宝石衬底上,AlGaInP 多层材料首先在 GaP 上生长。每个 LED 台阶通过一系列光刻、...
1、在半导体显示领域,micro-led(micro light emitting diode display,微发光二极管显示器)因其出色的亮度、色彩饱和度、高响应速度和能效比而受到广泛关注。尽管micro-led显示技术具有显著优势,但其商业化应用仍面临多个技术挑战,尤其是在rgb三色micro-led的集成方面。 2、传统的rgb三色micro-led的制备方式依赖于单独生...
6、作为本发明的进一步改进,所述micro-led芯片还包括第一p电极连接线、第二p电极连接线、第三p电极连接线和n电极连接线,所述第一发光单元芯片、所述第二发光单元芯片和所述第三发光单元芯片的n型接触电极均电连接所述n电极连接线,所述第一发光单元芯片的p型接触电极连接所述第一p电极连接线,所述第二p电极连...
11、(8)在所述micro led像素之间制备第二金属反射层,并在第二金属反射层上喷涂荧光粉层,得到micro-led显示面板。 12、作为上述方案的改进,步骤(2)中,采用下述方法实现第一键合层的设置: 13、在所述p型半导体层上制备电流扩展层、第一金属反射层、第一金属保护层、第一键合层和第二金属保护层。
1.一种红光micro-led芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.如权利要求1所述的红光micro-led芯片的制备方法,其特征在于,所述第一n电极的结构为au/auge/au/pt; 3.如权利要求2所述的红光micro-led芯片的制备方法,其特征在于,在所述第一n电极上方刻蚀出p型导电孔时,刻蚀过刻至所述第一n电极的pt层; ...
将制备好的Micro LED芯片从衬底上分离出来。 芯片分离可以采用激光切割、化学蚀刻等方法,需要确保芯片的完整性和良率。 6.封装 将分离出来的Micro LED芯片进行封装,以保护芯片并提高其可靠性。 封装材料可以选择透明的树脂或玻璃,封装过程需要注意封装的密封性和光学性能。 7.测试和筛选 对封装好的Micro LED进行测试...
1.一种micro-led芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.如权利要求1所述的micro-led芯片的制备方法,其特征在于,所述外延片包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层; 3.如权利要求2所述的micro-led芯片的制备方法,其特征在于,所述第一n型半导体层、第二n型半导体层、...
33、多个透镜,所述透镜设置在对应的所述多个led单元的发光面上。 34、根据本技术实施例的第二方面提出了一种显示装置,包括: 35、如上述任一技术方案所述的micro-led显示芯片。 36、根据本技术实施例的第三方面提出了一种micro-led显示芯片的制备方法,包括: ...
23、本发明提供的一种micro-led芯片及其制备方法,所述micro-led芯片包括:衬底;位于所述衬底一侧的量子阱层,所述量子阱层包括n组在第一方向上依次堆叠设置的第一堆叠膜层,所述第一堆叠膜层包括在所述第一方向上叠层设置的gainp势阱层和alinp势垒层,所述第一方向垂直于所述衬底所在平面,且由所述衬底指向所述量子...