Micro LED制备流程主要包括以下几个步骤: 1.外延片生长 选择合适的衬底材料,如蓝宝石、硅等。 在衬底上通过外延生长技术生长出高质量的GaN或其他半导体材料薄膜。 外延生长过程中需要精确控制温度、压力、气体流量等参数,以确保薄膜的质量和性能。 2.芯片制造 在外延片上通过光刻、蚀刻等工艺制造出Micro LED芯片的图...
6.根据权利要求1所述的micro-led显示结构,其特征在于,同一行led单灯内部共极端与非共极端的相对位置相同; 7.根据权利要求6所述的micro-led显示结构,其特征在于,两行的led单灯的各列非共极端在所述pcb板的第n层通过竖向走线电连接,并通过所述竖向走线上的一个通孔共同与各列下层的数据线电连接; 8.一种micro...
本发明公开了一种Micro‑LED显示面板及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)提供半导体发光结构;(2)在半导体发光结构上制备电流扩展层、第一金属反射层和第一键合层;(3)提供驱动基板,驱动基板表面间隔设有第二键合层;(4)将半导体发光结构键合至驱动基板上,形成金属键合层;(5)制备出单个Micro LED像素;(6)...
1.一种红光micro-led芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.如权利要求1所述的红光micro-led芯片的制备方法,其特征在于,所述第一n电极的结构为au/auge/au/pt; 3.如权利要求2所述的红光micro-led芯片的制备方法,其特征在于,在所述第一n电极上方刻蚀出p型导电孔时,刻蚀过刻至所述第一n电极的pt层; 4...
58、采用干法刻蚀工艺对所述led单元进行刻蚀,在去除所述掩膜的同时在所述led单元的出光面上形成所述凹陷区域。 59、在一种可行的实施方式中,所述波长转换层是通过旋涂工艺或干法刻蚀制备而成的 60、相比现有技术,本发明至少包括以下有益效果: 61、本技术实施例提供的micro-led显示芯片包括了驱动面板、多个led单元和...
将制备好的Micro LED芯片从衬底上分离出来。 芯片分离可以采用激光切割、化学蚀刻等方法,需要确保芯片的完整性和良率。 6.封装 将分离出来的Micro LED芯片进行封装,以保护芯片并提高其可靠性。 封装材料可以选择透明的树脂或玻璃,封装过程需要注意封装的密封性和光学性能。 7.测试和筛选 对封装好的Micro LED进行测试...
4.本发明提供一种防光串扰micro-led芯片结构、制备方法及micro-led显示装置,以解决芯片结构的像素间光线的串扰的问题。 5.根据本发明的第一方面,提供了一种防光串扰micro-led芯片结构,所述芯片结构包括: 6.透明基板; 7.多个led像素单元,位于所述透明基板上,每个led像素单元均包括自所述透明基板由下往上依次堆叠...
1、为解决上述现有技术问题的至少其一,本发明的目的在于提供一种高度集成且显示效果更好的micro-led芯片及其制备方法。 2、为实现上述发明目的,本发明一实施方式提供一种micro-led芯片,包括沿出光方向依次堆叠设置的多层发光层和基板,以及粘结于各层所述发光层之间、所述发光层与所述基板之间的粘结层,至少其中一层所...
1.一种micro-led芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.如权利要求1所述的micro-led芯片的制备方法,其特征在于,所述外延片包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层; 3.如权利要求2所述的micro-led芯片的制备方法,其特征在于,所述第一n型半导体层、第二n型半导体层、...
本发明实施方式的micro-led芯片结构及micro-led芯片结构的制备方法,通过在micro-led芯片侧壁增加调控电极,可以对micro-led芯片施加一横向电场,通过对施加的横向电场进行调控,从而控制电子和空穴注入到micro-led芯片侧壁的浓度,减小micro-led芯片侧壁处的shockley-read-hall(srh)非辐射复合,进而提高micro-led芯片的发光...