Micro LED被誉为未来显示之王。其具有高性能、高可靠、低成本的潜在技术优势。但是，实现Micro LED应用市场化，也面临众多技术难题：首先是Micro LED微芯片的制备。其中，在更小尺度上，保持极高的电量子效应是关键技术。不过对于LED大屏直显、彩电显示、车载等所需要的分辨率颗粒度而言，这一点上现有材料和工艺技术...
目前,基于GaN的Micro-LED微显示技术已经成为全球学术研究和产业开发的热点,但由于材料晶体质量限制以及芯片微缩化后侧壁损伤所带来的性能急剧衰减,现有的Micro-LED微显示屏在亮度和均匀性方面难以达到实际应用的要求。同时,Micro-LED微显示的规模应用要求对制程...
Micro LED制备工艺主要包括芯片制备、LED芯片封装和显示屏组装三个步骤。首先是芯片制备。制备Micro LED芯片的方法有多种,其中最常用的是外延法和挤压法。外延法是通过在基片上沉积多层半导体材料来制备芯片,而挤压法则是将石墨烯等材料挤压成微小的LED芯片。这些芯片通常具有微米级别的尺寸,因此被称为Micro LED。 接...
Micro LED 是将 LED 显示屏微缩化到微米级的显示技术,具有高亮度、高对比、广色域、长寿命和高可靠性等优点,被认为是近乎完美的显示技术。其亮度和节能优势在0.X英寸和X英寸的可穿戴产品上有广阔的应用前景,以苹果为代表,有望将Micro LED技术用于Apple Watch等2C产品中;而可实现无缝拼接的特点使得Micro LED成为...
Micro LED 微显示芯片制备技术 陈佳昕，李梦梅，郭伟玲 （北京工业大学光电子技术教育部重点实验室，北京100020）摘 要：Micro LED 微显示技术是将传统LED 薄膜化、微小化和矩阵化,像素点距离从毫米级降至微米级，并在一 个芯片上高度集成的固体自发光显示技术，因其低功耗、响应快、寿命长、发光效率高等特点，被...
Mini和Micro LED显示技术主要制程工艺中首先需要解决的就是芯片巨量转移。芯片的转移通常包括几个关键工艺步骤,包括从供体/生长基板批量释放 Micro LED 芯片、调整芯片间距尺寸、将芯片对准并移动到接收基板。传统的机械转移设备速度最高在数十颗每秒,无法满足 Micro LED 量产化的需求,因此巨量转移技术应运而生。
数字光芯成立于2019年，主要为硅基显示驱动芯片行业提供的集成电路晶圆，这是一种硅基微显示（尺寸在1.3英寸以下的显示器）芯片，主要包括硅基Micro LED、硅基Micro OLED、和硅基液晶LCoS等。数字光芯于2023年11月完成亿元级A轮融资，融资资金主要用于高制程国产硅基显示驱动晶圆大规模量产工作，以及团队扩张、完善...
GaN基Micro-LED显示芯片制备涉及到以下几个关键步骤: 1.材料制备:首先需要制备高质量的GaN材料作为基底。常用的制备方法包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)。 2.片区划分:通过微影技术在GaN基底上将芯片的不同区域进行划分,例如LED灯珠、电极等。 3.生长外延层:使用外延生长技术,在每个片区上生长GaN...
Micro LED芯片制备技术方面,对于 Micro LED芯片,芯片尺寸微缩,无法再使用传统的传统的挑拣( Sorting)与分选( Binning)技术, 因此外延需要极高的波长均匀性,外延片波长均匀性需控制在 0.8 nm甚至更小。优化衬底结构,衬底厚度等;严格控制生长过程中的温度及气流;优化生长过程中的外延翘曲。
Micro-LED芯片的微缩化为制造工艺带来了一系列挑战,从芯片良率的工艺难点,到发光效率和分光分色的难题,每一个环节都需要技术创新和精细的工艺控制。尽管面临诸多挑战,但随着技术的不断发展和突破,Micro-LED显示技术有望在未来的显示领域大放异彩。在接下来的系列文章中,我们将继续深入探讨Micro-LED的其他核心主题,敬请...