Post-CMOS/MEMS 工艺成本比前两种工艺的成本低,是目前广泛应用的 CMOS/MEMS 工艺。只需要将传统的版图设计做适当的改变,保持Post-CMOS 的工艺温度不超过 450°C,最后通过刻蚀的方法将 MEMS 微结构释放出来,即可实现 MEMS 微结构与 CMOS 外围电路的单芯片集成。根据 CMOS 电路部分与 MEMS 结构部分相对位置的不同,...