为此,采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索,并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。 中文引用格式:张海华,吕玉菲,鲁中轩. 基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究[J].电子技术应用,2018,44(10):32-36,40. 英文引用格式:Zhang Haihua,...
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电...
为此,采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索,并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。 中文引用格式:张海华,吕玉菲,鲁中轩. 基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究[J].电子技术应用,2018,44(10):32-36,40. 英文引用格式:Zhang Haihua,...
在MEMS器件加工过程中,想要得到高深宽比的硅槽,本文拟采用RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。 1 实验与分析 在一种MEMS传感器阵列中,采用CMOS兼容工艺进行制备,但是普通的CMOS工艺不能满足器件结构体微加工的工艺要求,因此需要基于CMOS工艺进行部分MEMS工艺的开发。首先,隔离深...
CMOS-MEMS工艺高深宽比深槽刻蚀RIE和Bosch工艺为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究.在一种小尺寸,高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8 μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成,需要采用COMS工艺兼容...
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成,需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺。为此,采用了RIE、Bosch工艺以及...
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成,需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺。为此,采用了RIE、Bosch工艺以及...