1. 工作电压:与MDD1501相似,MDD1502也具有高耐压特性,最大耐压值达到XXXV,保证了设备的安全可靠运行。 2. 电流容量:MDD1502的连续漏电流为XXA,峰值漏电流为XXA。虽然相较于MDD1501略有降低,但仍然能够满足多种应用场景的需求。 3. 功率耗散:MDD1502的最大耗散功率为X...
MDD1501RH 全新N沟道MOS场效应管 TO-252 30V67.4Amdd1501 深圳市创立翔科技有限公司13年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.16 原装DC022NG-L替代MDD1501RH 贴片TO-252 MOS管30V 25.1A N沟道 深圳市杜因特半导体有限公司12年 月均发货速度:暂无记录 ...
型号 MDD1501RH 深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业. 奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿圆是一家具有综合竞争优...
原装MDD1501RHN沟道MOS管30V 67.4A贴片TO252场效应管低压功率管 深圳市芯满科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.16 原装DC022NG-L替代MDD1501RH贴片TO-252 MOS管30V 25.1A N沟道 深圳市杜因特半导体有限公司12年 月均发货速度:暂无记录 ...
MDD1501RH是一种高性能的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于多种电子设备和系统中。其应用场景和参数特点如下: 一、应用场景: 1. 开关电源:MDD1501RH常用于开关电源中,因其具备高效率和高开关速度,可以有效降低开关损耗,提高电源效率。开关电源在计算机、电信设备和工业控制系统中都...
爱采购为您精选96条热销货源,为您提供场效应mdd优质商品、场效应mdd详情参数,场效应mdd厂家,实时价格,图片大全等
VBsemi(微碧半导体) 商品型号 MDD1501RH-VB 商品编号 C18212560 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.368克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 属性参数值 连续漏极电流(Id)100A ...
MDD1501W 电子元器件 MAGNACHIP/美格纳 封装TO252 批次23+ 深圳市汇莱威科技有限公司 4年 综合体验 真实性已核验 广东深圳 成立时间 2011-08-26 注册资本 500万元 主要品牌 安森美、ZETEX/DIODES、VISHAY/威世 主营: 传感器 二极管 三极管 集成电路 MCU 单片机 进入店铺 店铺档案 MDD1501RH管类代理10...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 MDD1501RH、 场效应管、 MOS管、 半导体、 电子元器件 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 100A 功率(Pd): 235W 导通电阻: 3mΩ@4.5V,37A 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@...
下载MDD1501下载 文件大小1026.64 Kbytes 页6 Pages 制造商MGCHIP [MagnaChip Semiconductor.] 网页http://www.magnachip.co.kr 标志 功能描述SingleN-channelTrenchMOSFET30V,67.4A,5.6m(ohm) 类似零件编号 - MDD1501 制造商部件名数据表功能描述 VBsemi Electronics Co.,...MDD1501RH ...