全新原装MDD1501RHMDD1501 TO-252 N 30V 25.1A 场效应管MOS管 深圳市福田区佳信达通电子经营部8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.30 原装MDD1501RHN沟道MOS管30V 67.4A贴片TO252场效应管低压功率管 深圳市芯满科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
MDD1501RH是一种高性能的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于多种电子设备和系统中。其应用场景和参数特点如下: 一、应用场景: 1. 开关电源:MDD1501RH常用于开关电源中,因其具备高效率和高开关速度,可以有效降低开关损耗,提高电源效率。开关电源在计算机、电信设备和工业控制系统中都...
型号 MDD1501RH 深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业. 奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿圆是一家具有综合竞争优...
VBsemi(微碧半导体) 商品型号 MDD1501RH-VB 商品编号 C18212560 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.368克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 属性参数值 连续漏极电流(Id)100A ...
Lead free / RoHS Compliant 封装/规格 TO-252 MDD1501RH 相关特供产品 料号描述操作 MDC47U01FREESCALE, HSOP-30对比 MDB20A6Module, HITACHI, MODULE对比 MDC01ROHM, TO-126对比 MDC04TO-126对比 MDC1000ASANREX,对比 MDC100B-16IGBT module, SILING, MODULE对比 国际认证...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 MDD1501RH、 场效应管、 MOS管、 半导体、 电子元器件 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 100A 功率(Pd): 235W 导通电阻: 3mΩ@4.5V,37A 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@...
MDD1501RH-VB是一款TO252封装的N-Channel沟道场效应管。其额定电压为30V,额定电流为100A,具有极低的静态导通电阻(RDS(ON)),在VGS=10V或VGS=20V时为2mΩ。阈值电压(Vth)为1.9V。该器件适用于高电流、中电压的场合,提供高效的功率开关性能。 **应用简介:** ...
部件名MDD1501RH 下载MDD1501RH下载 文件大小1026.64 Kbytes 页6 Pages 制造商MGCHIP [MagnaChip Semiconductor.] 网页http://www.magnachip.co.kr 标志 功能描述SingleN-channelTrenchMOSFET30V,67.4A,5.6m(ohm) 类似零件编号 - MDD1501RH 制造商部件名数据表功能描述 ...
部件名MDD1501RH 下载MDD1501RH下载 文件大小1026.64 Kbytes 页6 Pages 制造商MGCHIP [MagnaChip Semiconductor.] 网页http://www.magnachip.co.kr 标志 功能描述SingleN-channelTrenchMOSFET30V,67.4A,5.6m(ohm) 类似零件编号 - MDD1501RH 制造商部件名数据表功能描述 ...
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