MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的, 生长的单晶硅质量更好, 能得到均匀、低氧的 大直径硅锭。但 MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成 本也大幅提高。MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比,去掉了坩埚,因此没有坩埚带来的污染, 能拉制出更高纯度、 无...
光衰减一直是制约太阳能电池高效率的主要因素之一,MCZ与普通CZ法相比,通过外加磁场,有效抑制导电流体的热对流,降低硅熔体的氧含量,提高晶体质量,从而有效改善太阳能电池的光衰减率。磁场对热对流的抑制可以从电学原理与流体原理两方面得到解释,并已通过项目中试得到了较好的技术成果。 主要创新点 设计完成了满足批量...
直拉法生长多是采用液相掺杂, 受杂质分 凝、杂质蒸发,以及坩埚污染影响大,因此,直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均 匀性较差。 MCZ磁控直拉法,在 CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅的流动因切 割磁力线而产生洛仑兹力, 这相当于增强了熔体的粘性, 熔体对流受阻。 能生长 无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备...
MCZ直拉法中超导磁铁的作用 | 在硅单晶棒的生长过程中,超导磁场可以产生以下几种作用: 1. 磁场限制:超导磁体可以产生强大的磁场,可以用来限制硅单晶棒的生长方向和形状。通过调整磁场的分布和强度,可以控制硅单晶棒的生长速度和形态,从而获得所需的晶体结构。
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本技术涉及半导体晶体,具体地说是一种具有cusp磁场的u形mcz超导磁体。 背景技术: 1、随着半导体、光伏等行业对单晶硅需求的增长,单晶硅市场规模迅速扩大。通过磁控直拉法(magnetic czochralski,简称mcz)改善晶体的组分,降低单晶硅中的杂质含量和分布,提高单晶硅的质量的方式获得了广泛关注,成为目前最流行的工艺流程。
百度试题 题目中国大学MOOC: CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。相关知识点: 试题来源: 解析 错 反馈 收藏
摘要:本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置,该方法包括以下步骤:事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片,限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑,在将钟罩套设在连杆上,上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭,使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔,单晶硅在坩埚内部融化...
CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。答案: 错误 点击查看答案解析 手机看题 你可能感兴趣的试题 多项选择题 蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因() A.为了避免蒸发分子(或原子)被氧化B.为了降低镀膜中的杂质C.为了减小蒸发分子(或原子)的平均自由程D.为了制备的镀膜表面更平坦 点击...
[0003]在单晶炉外施加强磁场可以改变炉内溶体对流,在磁场环境下利用CZ法生长硅单晶的方法称为MCZ法,该方法可以控制氧碳等杂质的含量及分布均匀性,进而改善硅单晶的品质。超导磁体具有体积小,容量大、功耗低的特点,被广泛应用于需要强磁场的领域。针对MCZ硅单晶炉,超导磁体励磁电流微小的波动就会引起磁场及分布的较...