MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的, 生长的单晶硅质量更好, 能得到均匀、低氧的 大直径硅锭。但 MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成 本也大幅提高。MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比,去掉了坩埚,因此没有坩埚带来的污染, 能拉制出更高纯度、 无...
直拉法生长多是采用液相掺杂, 受杂质分 凝、杂质蒸发,以及坩埚污染影响大,因此,直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均 匀性较差。 MCZ磁控直拉法,在 CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅的流动因切 割磁力线而产生洛仑兹力, 这相当于增强了熔体的粘性, 熔体对流受阻。 能生长 无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备...
MCZ直拉法中超导磁铁的作用 | 在硅单晶棒的生长过程中,超导磁场可以产生以下几种作用: 1. 磁场限制:超导磁体可以产生强大的磁场,可以用来限制硅单晶棒的生长方向和形状。通过调整磁场的分布和强度,可以控制硅单晶棒的生长速度和形态,从而获得所需的晶体结构。
1.一种具有cusp磁场的u形mcz超导磁体,其特征在于:所述的u形mcz超导磁体(1)包括骨架、超导体线圈、4k结构、50k结构、300k结构、制冷部件, 2.根据权利要求1所述的一种具有cusp磁场的u形mcz超导磁体,其特征在于:两侧的超导磁体线圈(101)的电流相反,并且两侧的超导磁体线圈(101)之间形成相反的cusp磁场。 3.根据权利...
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MCZ磁控直拉法,在CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅的流动因切割磁力线而产生洛仑兹力,这相当于增强了熔体的粘性,熔体对流受阻。能生长无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。 FZ悬浮区熔法,多晶与单晶均由夹具夹着,由高频加热器产生一...
百度试题 题目中国大学MOOC: CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。相关知识点: 试题来源: 解析 错 反馈 收藏
CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。答案: 错误 点击查看答案解析 手机看题 你可能感兴趣的试题 多项选择题 蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因() A.为了避免蒸发分子(或原子)被氧化B.为了降低镀膜中的杂质C.为了减小蒸发分子(或原子)的平均自由程D.为了制备的镀膜表面更平坦 点击...
摘要:本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置,该方法包括以下步骤:事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片,限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑,在将钟罩套设在连杆上,上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭,使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔,单晶硅在坩埚内部融化...
CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶;而FZ法拉单晶时不需要籽晶。 查看答案