使用纳米片技术的 MBCFETTM 架构,三星再次在晶体管架构设计上取得飞跃。新架构所需面积更小,设计更灵活,运行电压更低,性能更出色,可确保实现低压开关控制和高效开关操作。该技术可生产具有成本效益的高性能晶体管,面积更小且易于扩展。MBCFETTM 不仅改进了晶体管架构,更重要的是,其...
在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上，三星晶圆厂的工程师分享即将推出的3纳米GAE MBCFET(多桥通道FET)制造技术的一些细节。栅极全向场效应晶体管目前有两种类型，典型的GAAFET称为纳米线，结构特点是"薄"鳍，第二种MBCFET则对应 "厚"鳍的纳米片，栅极材料都围绕着沟道区域的四面。纳米线和纳米片的实现很大程度上取决于...
三星使用 MBCFET 达到 3 nm 现在，三星已经突破了持续扩展的障碍，因为它最近宣布已开始生产其3 nm工艺。根据三星的说法，使其达到这一点的关键技术是其最新的MOSFET架构MBCFET。MBCFET可以归类为GAA技术;然而，它偏离了使用纳米线的行业标准，而是使用宽度大于导线的片状结构。通过使用纳米片而不是纳米线，MBCFET可以提...
標註>MBCFET™ 新聞稿三星晶圓代工展現創新實力 助攻大數據、AI/ML及智慧連網裝置的未來發展27.10.2021 【名家觀點】三星電子最新電晶體技術締造半導體歷史27.05.2019 新聞稿三星電子以先進晶圓製程領導技術 展現最新矽晶圓技術創新及生態系統平台27.05.2019
【译制】三星GAA工艺 MBCFET的介绍 大约首发于2022年 3GAE~
IT之家3月13日消息 三星电子和台积电目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。据外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节。GAAFET 晶体管（闸极全环场效晶体管）从构造上有两种形态，是目前 FinFET 的升级版。三星表示传统的 GAAFET...
商标名称 MBCFET 国际分类 第09类-科学仪器 商标状态 商标注册申请 申请/注册号 24111436 申请日期 2017-05-12 申请人名称(中文) 三星电子株式会社;SAMSUNGELECTRONICSCO.,LTD. 申请人名称(英文) - 申请人地址(中文) 韩国京畿道水原市灵通区三星路129;129, SAMSUNG-RO, YEONGTONG-GU, SUWON-SI, GYEONGGI-DO, ...
对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。再往后就是2nm工艺，三星高管日前再次表态2nm工艺会在2025年量产。不过具体的工艺指标还没公布，只知道还是GAA晶体管，跟3nm一样基于MBCFET（多桥沟道FET）技术，这是一种纳米片晶体管，可以垂直堆叠，而且兼容现在的CMOS...
纳米片（Nanosheets）是FinFET的继任者，架构的演变促使业界持续渴望提高速度、容量和功率。它们还有助于...
集微网消息,三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。 三星表示,相较 FinFET,MBCFET 提供了更好的设计灵活性:在传统的 FinFET 结构中,栅极所包裹的鳍片高度是无法调整的;而 MBCFET 则将鳍片横向堆叠在一起,所以纳米片的...