面对不利的全球市场环境,三星之所以能继续向前突破,有两大关键原因:GAA 技术的演进,以及在行业合作伙伴协助下进行的设计优化。 MBCFET™ 推动 GAA 技术演进 三星从平面工艺向 FinFET,在多个方面为半导体制造工艺注入新动力。利用 FinFET 架构的优势,三星克服了限制平面晶体管的短沟...
三星使用 MBCFET 达到 3 nm 现在，三星已经突破了持续扩展的障碍，因为它最近宣布已开始生产其3 nm工艺。根据三星的说法，使其达到这一点的关键技术是其最新的MOSFET架构MBCFET。MBCFET可以归类为GAA技术;然而，它偏离了使用纳米线的行业标准，而是使用宽度大于导线的片状结构。通过使用纳米片而不是纳米线，MBCFET可以提...
据三星称,使其达到这一点的关键技术是其最新的MOSFET 架构MBCFET。 MBCFET 可归类为 GAA 技术;但是,它偏离了使用纳米线的行业标准,而是使用了比导线更宽的片状结构。通过使用纳米片而不是纳米线,MBCFET 可以提供几个关键优势,例如通过控制片宽来连续调整沟道宽度。 除此之外,MBCFET 可以提供结构变化,使器件的所有四...
对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。再往后就是2nm工艺，三星高管日前再次表态2nm工艺会在2025年量产。不过具体的工艺指标还没公布，只知道还是GAA晶体管，跟3nm一样基于MBCFET（多桥沟道FET）技术，这是一种纳米片晶体管，可以垂直堆叠，而且兼容现在的CMOS...
三星电子成功量产3纳米环绕式闸极(GAA)制程,同时也成功实现纳米片(nanosheet)结构的多桥通道场效晶体管(MBCFET)技术。三星电子 三星电子(Samsung Electronics)成功量产3纳米环绕式闸极(GAA)制程,同时也成功实现纳米片(nanosheet)结构的多桥通道场效晶体管(MBCFET)技术。事实上,MBCFET已超出外界预期的纳米线(nanowire)结...
【译制】三星GAA工艺 MBCFET的介绍 大约首发于2022年 3GAE~
MBCFET 可归类为 GAA 技术;但是,它偏离了使用纳米线的行业标准,而是使用了比导线更宽的片状结构。通过使用纳米片而不是纳米线,MBCFET 可以提供几个关键优势,例如通过控制片宽来连续调整沟道宽度。 除此之外,MBCFET 可以提供结构变化,使器件的所有四个侧面都可以充当通道。
集微网消息,三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。 三星表示,相较 FinFET,MBCFET 提供了更好的设计灵活性:在传统的 FinFET 结构中,栅极所包裹的鳍片高度是无法调整的;而 MBCFET 则将鳍片横向堆叠在一起,所以纳米片的...
GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。 与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET...
台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,虽未披露细节,但是据此乐观预计,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,2024年就能步入量产阶段。2nm采以环绕闸极(GAA)制程为基础的MBCFET架构,解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。 据台湾经济日报最新报道,台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部...