01直播介绍直播时间2024/10/281430直播内容1.onsemiLV/MVMOSFET产品优势&市场地位。2.onsemiLV/MVMOSFETRoadmap。3.onsemiT10系列MOSFET介绍。4.onsemiLV/MVMOSFET市场&应用。技术亮点onsemi最新一代T10系列MOSFET优势&市场前景。学习收获期望了解onsemiSi
DiodesMOSFET晶体管 型号:DMN33D8LV --- 产品参数 --- 品牌DIODES 型号DMN33D8LV 名称双N 沟道增强型 MOSFET 产地台湾 封装SOT563 --- 产品详情 --- DMN33D8LV 产品简介 DIODES 的 DMN33D8LV 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
型号 MOSFET 施耐德LV432097 施耐德LV431403 施耐德LV431491 施耐德LV430403 施耐德LV430491 施耐德LV429003 施耐德LV429095 EATON MOELLER 断路器 EATON MOELLER 3P 300A P/N:111921 PA12B003 BONDIOLI & PAVESI HPLPA131DDDG3G3B00 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发...
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韩国首尔,2024年7月30日–Magnachip Semiconductor Corporation(以下简称“美格纳”或“公司”)(NYSE:MX)当日宣布,公司发布了面向智能手机电池保护电路的第 8 代 MXT LV MOSFET1。 美格纳首次在公司的新款 12V 双 N 通道 MOSFET (MDWC12D024PERH) 中引入其专属超短通道 FET II (SSCF...
韩国首尔,2024年10月28日–Magnachip Semiconductor Corporation(以下简称“美格纳”或“公司”)(NYSE:MX)当日宣布,公司将扩大其第 7 代MXT LV MOSFET1 产品系列的生产,这款产品基于美格纳的超短沟道 FET (SSCFET®) 技术设计。 随着移动设备变得越来越先进,对具有低2RSS(on)...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 100 nC 最小...
本公司生产销售mos MOS,提供mos专业参数,mos价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.mos mos 品牌WXDH|产地广东省|价格0.10元|封装TO-220|型号150N08-ZN|批号2020+|安装类型直插|QQ3008036566|数量90000广东省mos;WXDHmos;广东省WXDHmos;广东省MOS;WXDHMOS;广东省WXDHMO
产品简介DIODES 的 DMN53D0LV 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON))同时保持卓越的切换性能,使其成为理想之选用于高效电源管理应用。 产品规格 品牌 DIODES型号 DMN53D0LV名称 双N 沟道增强型 MOSFET产…
DMN33D9LV 产品简介 DIODES 的 DMN33D9LV 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。 产品规格 品牌DIODES 型号DMN33D9LV 名称 双N 沟道增强型 MOSFET 产地 台湾 封装SOT563 产品参数 AEC Qualified No ...