还提供了第二个逻辑接口,用于单刀双掷对的另一个开关。ESD保护二极管置于模拟端口和Vss之间,以及逻辑输入端和地之间。注意,上部逻辑接口器件和节点名称中的“-a”后缀在下部接口中用“-b”后缀代替。Glogic_thresholdb接口的输出与Glogic_thresholda表中的输出反向,使得一个或另一个开关对能够运行,而不是同时开启。
TVSダイオード(ESD保護用ダイオード) 2024.12474KB ダウンロード SiCショットキーバリアダイオード2024.11256KB ダウンロード 整流用ダイオード2024.237KB ダウンロード ツェナーダイオード2024.11443KB ダウンロード フォトカプラー2024.2351KB ...
3、科普:深入理解SerDes(Serializer-Deserializer)之三 4、资深工程师的ESD设计经验分享 5、干货分享,ESD防护方法及设计要点! 6、科普来了,一篇看懂ESD(静电保护)原理和设计! 7、锁相环(PLL)基本原理 及常见构建模块 8、当锁相环无法锁定时,该怎么处理的呢? 9、高性能FPGA中的高速SERDES接口 10、什么是毫米波...
使VSWEEP基准电压接地,确保只显示GND箝位ESD器件的特征。 图4.ADxxxx DOUT1接地箝位设置。 根据IBIS规格,应扫描电压轨以外(最好从-VDD到2 × VDD)的I-V数据,本例中是从–1.8 V到+3.6 V。通过直接执行此操作,扫描VDD以外的电压将会开启电源箝位ESD器件。为了避免这种情况,首先在–1.8 V至+1.8 V范围内扫描...
这些泄漏大部分可能实际来源于连接至每个引脚的静电放电(ESD)保护二极管。我们会将这一点纳入图16的仿真...
为了简化仿真,不包括输入ESD保护二极管。两个45pF输入电容(C1和C2)通过稳压开关(S1和S2)充电,这些开关由导通电阻为40Ω的SW模型语句定义。这些开关由一个持续时间为 312ns 和周期为 1μs 的脉冲电压源驱动,以模拟 LTC2378-20 SAR ADC 在 1Msps 时的采集时间。为了使采样电容为下一个采集阶段做好准备,使用...
为了简化仿真,不包括输入ESD保护二极管。 两个45pF输入电容器(C1和C2)通过电阻控制开关(S1和S2)进行充电,这些开关由具有40Ω导通电阻的SW模型语句定义。 这些开关由持续时间为312ns和1μs的脉冲电压源驱动,以模拟LTC2378-20 SAR ADC在1Msps的采集时间。 为了准备下一个采集阶段的采样电容器,使用理想的行为逆变器...
· ESD保护; · 非常低的开关损耗。 UF3C065080T3S 650V 80mΩ RDS(on) 级联 SiC FET 产品将其高性能 G3 SiC JFET 与 FET 优化的 MOSFET 共同封装,以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列具有超低的栅极电荷,而且在任何类似额定值的器件中也具有最佳的反向恢复特性。这些器件采用 TO-220-3L...
562 0 32:43 App UESTC CAD Tutorial 6 运算放大器【中文版讲解】 540 0 55:57 App UESTC CAD Tutorial 4 自然响应/阶跃响应 RC/RL/RCL【中文版讲解】 1211 0 32:13 App UESTC CAD Lab4 交流电路与滤波器 【基于LTspice的讲解】 1250 1 54:37 App UESTC ESD L10 ~ L11 Noise Calculation【QA式讲...
为简化仿真，不包括输入 ESD 保护二极管。两个 45pF 输入电容器（C1 和 C2）通过电压控制开关（S1 和...