组合宏模型 图16显示了会成为分支电路的组合模拟开关。在晶体管符号位置为L和W硬度值,而不是参数,并移除了所有激励和I/O,以便连接引脚SA、D、SB、In、VDD, Vss和Gnd_pin。 图16. 组合SPDT分支电路spdt 40V.asc。 还提供了第二个逻辑接口,用于单刀双掷对的另一个开关。ESD保护二极管置于模拟端口和Vss之间,...
这些泄漏大部分可能实际来源于连接至每个引脚的静电放电(ESD)保护二极管。我们会将这一点纳入图16的仿真...
静电放电(Electorstatic Discharge,ESD)是指电荷瞬间从一个物体移到另一个物体上,形成一个电荷转移的过程的现象,即具有不同静电电势(电位差)的物体或表面之间的静电电荷转移。ESD会造成电子元件系统受到过度电性破坏,从而影响其电路功能,使电子产品工作不正常或无法工作 [1] ,因此对ESD监测和防护至关重要。系统级ESD...
这些泄漏大部分可能实际来源于连接至每个引脚的静电放电(ESD)保护二极管。我们会将这一点纳入图16的仿真设置中。 图16. 泄漏测试仿真设置。 调节了二极管模型中的ls后,我们获得了泄漏电流与温度关系曲线,如图17所示。 图17. 温度范围内泄漏测试仿真结果。 逻辑接口和栅级驱动器 单纯的行为逻辑-栅级驱动电路如图18所...
这些泄漏大部分可能实际来源于连接至每个引脚的静电放电(ESD)保护二极管。我们会将这一点纳入图16的仿真设置中。 图16. 泄漏测试仿真设置。 调节了二极管模型中的ls后,我们获得了泄漏电流与温度关系曲线,如图17所示。 图17. 温度范围内泄漏测试仿真结果。
这些泄漏大部分可能实际来源于连接至每个引脚的静电放电(ESD)保护二极管。我们会将这一点纳入图16的仿真设置中。 图16. 泄漏测试仿真设置。 调节了二极管模型中的ls后,我们获得了泄漏电流与温度关系曲线,如图17所示。 图17. 温度范围内泄漏测试仿真结果。
根据IBIS规格,应扫描电压轨以外(最好从-VDD到2 × VDD)的I-V数据,本例中是从–1.8 V到+3.6 V。通过直接执行此操作,扫描VDD以外的电压将会开启电源箝位ESD器件。为了避免这种情况,首先在–1.8 V至+1.8 V范围内扫描VSWEEP,并使用外推方法添加3.6 V数据点。此方法适用于所有I-V数据集。
TVS二极管(ESD保护二极管) SiC 肖特基势垒二极管 整流二极管 齐纳二极管 内置偏置电阻型晶体管(BRT) 双极晶体管 光耦 光继电器 您可以按产品类别或类型批量下载模型文件。这将有助于您比较和考虑同一类别中不同产品。 产品类别日期文件大小下载 MOSFET2024年12月10.5MB ...
· ESD保护; · 非常低的开关损耗。 UF3C065080T3S 650V 80mΩ RDS(on) 级联 SiC FET 产品将其高性能 G3 SiC JFET 与 FET 优化的 MOSFET 共同封装,以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列具有超低的栅极电荷,而且在任何类似额定值的器件中也具有最佳的反向恢复特性。这些器件采用 TO-220-3L...
为了简化仿真,不包括输入ESD保护二极管。两个45pF输入电容(C1和C2)通过稳压开关(S1和S2)充电,这些开关由导通电阻为40Ω的SW模型语句定义。这些开关由一个持续时间为 312ns 和周期为 1μs 的脉冲电压源驱动,以模拟 LTC2378-20 SAR ADC 在 1Msps 时的采集时间。为了使采样电容为下一个采集阶段做好准备,使用...