在极紫外光刻机中,EUV光源是最为核心的分系统之一,也是EUV光刻机实现稳定运行的最大难点。激光等离子体(LPP)是目前产生极紫外光的主流方案。极紫外光源LPP在半导体芯片制造、光刻技术、光学仪器等领域有着广泛的应用。在半导体芯片制造中,EUV光刻机可以实现更高的分辨率和更小的芯片尺寸,从而提高芯片的集成度和性能。
虽然DPP整体方案看似比LPP简单得多,但当年Cymer无法提升功率只好放弃DPP转向LPP。2023年4月13日下午,中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼到长春光机所调研了EUV光源,相信这是结合哈工大DPP EUV光源和长春光机所的高精度弧形反射镜系统的EUV光源工程样机。DPP方案可以避开当前LLP-EUV的专利壁垒,同时与未来的加速器光...
万字浅析国产EUV光刻机的DPP LPP等离子光源 #硬核深度计划 三年前,美国开始对中国高端芯片产业进行绞杀的时候,半导体行业最乐观的人,都觉得国产DUV光刻机的诞生起码需要10年时间。众所周知,EUV光刻技术是一个极其庞大、却又无比精妙的系统工程,而EUV光刻机又以光源为核心中的核心。产生13.5 nm EUV的首选方法是高...
8、较大的问题,打出来的光有效能量不够?打出一堆杂乱的光,滤波后输出能量不足?延长曝光时间可以吗?锡等离子不够?也不可能同时打两个,锡滴液大一点行不行?温度高一点行不行?一千度不行就一千八百度试一下,锡的沸点也很高。腔体真空度怎样?光栅滤光怎么改进一下? 这样一番操作之后,还是达不到300W的EUV光功...
三年前,美国开始对中国高端芯片产业进行绞杀的时候,半导体行业最乐观的人,都觉得国产DUV光刻机的诞生起码需要10年时间。众所周知,EUV光刻技术是一个极其庞大、却又无比精妙的系统工程,而EUV光刻机又以光源为核心中的核心。产生13.5 nm EUV的首选方法是高电荷离子的等离
从EUV光源再到最终的整机还有很长的距离。比如说物镜系统，极紫外光本身很容易被透镜吸收，这意味着物镜...
EUV光刻机的LPP光源采用独特的激光击打液滴的方案,这种物理激发的方式导致大量污染物(Debris)。污染物会污染EUV收集镜头,导致系统性能衰减。目前的方案是通过大量的氢气来原位清洗EUV收集镜头,EUV光刻机通常1分钟要消耗600升氢气。对于下一代更高功率EUV光源,氢气消耗量可能会更高。总部位于英国的真空系统公司Edwards的...
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万字浅析国产EUV光刻机的DPP LPP等离子光源 #硬核深度计划 三年前,美国开始对中国高端芯片产业进行绞杀的时候,半导体行业最乐观的人,都觉得国产DUV光刻机的诞生起码需要10年时间。众所周知,EUV光刻技术是一个极其庞大、却又无比精妙 - 落英行者于20241214发布在抖音,已
在极紫外光刻机中,EUV光源是最为核心的分系统之一,也是EUV光刻机实现稳定运行的最大难点。激光等离子体(LPP)是目前产生极紫外光的主流方案。极紫外光源LPP在半导体芯片制造、光刻技术、光学仪器等领域有着广泛的应用。在半导体芯片制造中,EUV光刻机可以实现更高...