在极紫外光刻机中,EUV光源是最为核心的分系统之一,也是EUV光刻机实现稳定运行的最大难点。激光等离子体(LPP)是目前产生极紫外光的主流方案。极紫外光源LPP在半导体芯片制造、光刻技术、光学仪器等领域有着广泛的应用。在半导体芯片制造中,EUV光刻机可以实现更高的分辨率和更小的芯片尺寸,从而提高芯片的集成度和性能。
虽然DPP整体方案看似比LPP简单得多,但当年Cymer无法提升功率只好放弃DPP转向LPP。2023年4月13日下午,中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼到长春光机所调研了EUV光源,相信这是结合哈工大DPP EUV光源和长春光机所的高精度弧形反射镜系统的EUV光源工程样机。DPP方案可以避开当前LLP-EUV的专利壁垒,同时与未来的加速器光...
用固体激光器代替二氧化碳气体激光器，我能想到的问题有两个，第一个是单脉冲能量，当然这个可以用列板放...
脉冲很好，总功率不够，不能做光刻机
国产EUV光刻机的DPP LPP等离子和SSMB稳态微聚束光源 落英行者 5696粉丝 · 49个视频 关注 芯片战争(5/5)自动播放 比亚迪超越特斯拉:中国新能源车重塑全球汽车和能源格局 华为被美国制裁背后的中美芯片战争 华为手机背后的国产光刻机 中美AI战争全面解析 国产EUV光刻机的DPP LPP等离子和SSMB稳态微聚束光源 接下来...
距离一定下,光总是可以聚在一个点上打锡滴,计算好就可以了,聚焦点就假定在滴液的表面。激光无法采用聚焦? 老美的方案是先打一发小功率激光,把锡滴打散打膨胀,可能他们也发现高功率激光没法搞太细,那么先用一发激光使锡滴二维化成片面,接着在一发高功率强激光让锡滴等离子化。 4、打出了的光很杂乱,怎么滤...
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当然,SSMB技术进展不可能赶上首台国产EUV光刻机,尽快达成实用工程化还得指望上海光机所的LPP-EUV或者哈工大的DPP-EUV。显然EUV光刻关键技术备受社会关注,有声音认为只要我们能够自己制造出一台EUV光刻机,国内半导体产业发展问题就基本解决,但事实并非如此。EUV光刻机只不过是中国半导体产业发展路上需要解决的问题的一...
第一代EUV验证机型NXE3100光刻机曝光功率仅有10W左右,其产能仅为8-10片晶圆/小时。2018年Cymer将功率提升到250W,NXE3400B光刻机的产能是155片/小时,而NXE3400C的产能提高到170片/小时。通过采用新的1微米激光预脉冲,ASML已经实现闭环600W,开环700W的创纪录的EUV功率!LPP EUV光源在未来3-5年很可能突破千瓦...