芯片制造过程之中EUV光刻机采用的是极紫外光源，波长是13.5纳米，光束功率更加强劲度也更高，7纳米芯片轻轻松松就能够制造出来，即便是5纳米和更先进的3纳米也都能制造出来，可DUV不一样，duv采用的是准分子深紫外光源干时光刻技术,最高能够实现157纳米的波长，沉浸式光刻机技术能够实现193纳米，134纳米的波长。...
在芯片制造领域,光刻机堪称制造微缩电路图案的“放大镜”,其精度决定了芯片的性能。随着芯片技术不断升级,光刻机的制造难度也在直线上升,特别是EUV光刻机,其精度要求之高,让人叹为观止。EUV光刻机使用13.5纳米波长的极紫外光,这种光波长极短,能量低且易被吸收,光源产生和传输技术成为关键。同时,光学系统中的反射...