主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。 LPCVD 工艺温度一般控制在表面反应限制区,对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格,对温度要求严格。因此多采用热壁式反应器,衬底垂直放置,装载量大,更适合大批量生产,气体用量少,功耗低,降低了生产成本。颗粒污染现象也好于 APCVD 。 PECVD 工艺是典型的表面反应速率控制淀积方法,需要
主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。 LPCVD工艺温度一般控制在表面反应限制区,对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格,对温度要求严格。因此多采用热壁式反应器,衬底垂直放置,装载量大,更适合大批量生产,气体用量少,功耗低,降低了生产成本。颗粒污染现象也好于APCVD。 PECVD工艺是典型的表面反应速率控制淀积方法,需要...