LPCVD(低压力化学气相沉积法)与PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)是两种常见的化学气相沉积(CVD)工艺,它们在半导体制造、太阳能电池等领域有着广泛的应用。以下是这两种工艺的主要区别: 1. 工作原理 LPCVD:通过降低反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力(通常低于133Pa)来实现薄膜沉积。这种低压环境有助于控制...
在大尺寸衬底上，PECVD的均匀性可能稍逊于LPCVD，但仍在可接受的范围内。优缺点 PECVD在较低温度下进行沉积，非常适合热敏感材料的处理。其高沉积速率满足了大规模生产的需求。此外，通过调节等离子体参数，可以灵活地控制薄膜的特性。然而，需注意的是，等离子体的引入可能会在薄膜中引入如针孔或不均匀性等缺陷，同时...
PECVD——将等离子能量和CVD完美结合的工艺。PECVD技术利用低温等离子体在低气压下诱导工艺室(即样品盘)阴极产生辉光放电。这种辉光放电或其他发热装置可将样品的温度升高到预定水平,然后引入受控量的工艺气体。这种气体会发生一系列化学和等离子反应,最终在样品表面形成一层固体薄膜。 LPCVD——低压化学气相沉积法(Low-pre...
LPCVD:LPCVD具备较佳的阶梯覆盖能力,很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量、大大降低了颗粒污染源。依靠加热设备作为热源来维持反应的进行,温度控制、气压很重要。广泛运用于TopCon电池的Poly层制造。 PECVD:PECVD依靠射频感应产生的等离子体,实现薄膜沉积工艺的低温化(小于450度)低温沉积是其主要优点,从而节...
对于掺杂多晶硅层，一般有三种制备方法。其中有两种属于化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD) 方法：分别是LPCVD法和PECVD法。还有一种溅射法是属于物理气相沉积(physical vapor deposition, PVD) 方法。其中，LPCVD能同时完成氧化层、本征多晶硅层的制备，工业应用技术非常成熟。制备过程中仅需要在两者反应中间，...
化学气相沉积(CVD)是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺,根据反应条件(压强、前驱体)的不同又分为常压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)和原子层沉积(ALD)。 LPCVD:LPCVD具备较佳的阶梯覆盖能力,很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出...
LPCVD vs PECVD,谁更强? 在芯片制造的复杂工艺中,LPCVD和PECVD是两种常见的薄膜沉积技术。它们各有千秋,适用于不同的场景和需求。让我们来深入了解一下这两种技术的区别和优势吧。 LPCVD:高温下的精准制造 🔥 LPCVD,全称低压化学气相沉积,是一种在高温环境下进行的化学反应。简单来说,它通过在低压环境中加热气体...
对于掺杂多晶硅层,一般有三种制备方法。其中有两种属于化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD) 方法:分别是LPCVD法和PECVD法。还有一种溅射法是属于物理气相沉积(physical vapor deposition, PVD)方法。 其中,LPCVD能同时完成氧化层、本征多晶硅层的制备,工业应用技术非常成熟。制备过程中仅需要在两者反应中间,加入N2...
目前,主流的TOPCon层沉积技术主要有LPCVD、PECVD和 PVD 三种技术路线。 LPCVD全称为低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition),该技术优点在于工艺成熟、控制简单容易,但难于镀膜速度慢,同时存在原位掺杂、有绕镀、石英件沉积严重、类隐裂等问题。
LPCVD 与 PECVD 氮化硅对比 LPCVD 氮化硅波导: 1、与硅光工艺平台不兼容,沉积需要高温~700℃,会产生标准化学计量比的Si3N4,折射率也相对固定(约2.01),对应的光学器件模块性能相对稳定。 2、含H键极少,由于是前道工艺FEOL(Front-end of line),所以还可以进一步高温退火(1100℃),进一步降低H含量,薄膜更为紧凑致...