本文介绍了芯片制造中的Low-K材料Low-K材料是介电常数显著低于传统二氧化硅(SiO₂,k=3.9–4.2)的绝缘材料,主要用于芯片制造中的层间电介质(ILD)。其核心目标是通过降低金属互连线间的寄生电容,解决RC延迟(电阻-电容延迟)和信号串扰问题,从而提升芯片性能和集成度。 Low-K材料...
低介电常数材料(Low-k Dielectric)通过降低绝缘介质的*k*值,直接减少金属线间的电容耦合。其核心原理是:降低介电常数:传统SiO₂的k=3.9,而Low-k材料(如碳掺杂氧化物CDO)的*k*可降至2.5-2.8,电容减少30%-40%。抑制电场传播:Low-k材料不易支持电场建立,...
一、Low-K材料的特性 介电常数是描述材料在电场中存储电能能力的物理量。Low-K材料的介电常数低于传统的二氧化硅(SiO2)材料,其介电常数约为3.9。这意味着Low-K材料可以在集成电路中降低漏电电流和导线之间的电容效应,从而提高集成电路的性能和可靠性。此外,Low-K材料还可以降低集成电...
在这一阶段,Low K材料的应用至关重要,因为它们能有效降低金属导线之间的电容,从而减少信号延迟和功耗。 在BEOL工艺中,常用的Low K材料包括氟硅玻璃(FSG)、碳掺杂的氧化硅(如Black Diamond)以及氮掺杂的碳化硅(如BLOK)。这些材料不仅具有较低的介电常数,还具备良好的绝缘性能、导热性以及可制造性,非常适合用于高性...
当下，low - k材料的制备方式主要涵盖三种：其一，在材料中掺入氟、碳、氢等强电负性元素，以此降低材料极性，进而减小材料的κ值，像氟硅酸盐玻璃（FSG）、掺碳氢氧化硅（SiCOH）等较为常见，它们在0.13um至45nm工艺中得到广泛应用；其二，借助多孔技术，降低材料的分子密度来实现κ值降低，例如多孔SiO₂、多孔...
Low-K材料:芯片性能升级背后的隐形功臣与挑战 在半导体制造领域,low-k材料(低介电常数材料)是提升芯片性能的关键技术之一。其核心作用在于通过降低导线间的电容效应,减少信号传输延迟与功耗,从而推动芯片向更高集成度、更快速度发展。然而,其松软的结构和易渗透性也带来了复杂的制造难题。本文将深入...
低介电常数或称low-K材料是当前半导体行业研究的热门话题。通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数,可以降低集成电路的漏电电流,降低导线之间的电容效应,降低集成电路发热等等。 介电常数较低的材料主要用于微电子领域,作为金属导线间绝缘的材料。传统半导体使用二氧化硅作为介电材料,其介电常数约为4。而真空的介...
Low-K材料聚酰亚胺是一种高性能的聚合物材料,其主链上含有酰亚胺环(-CO-NR-CO-),具有出色的绝缘性能和耐高温性能。与传统的聚酰亚胺相比,Low-K聚酰亚胺材料具有更低的介电常数,这有助于减少电路中的信号延迟和功率损失,提高电路的性能和可靠性。...
在半导体领域,Low k 和 High k 材料扮演着至关重要的角色,它们的独特性质和应用对芯片性能的提升以及半导体技术的发展都有着深远的影响。 一、半导体制造中的关键要素 —— 介质层 半导体芯片的制造过程复杂而精细,涉及到多种材料和工艺技术。其中,介质层是芯片制造中不可或缺的一部分,它主要起到了电气隔离和信号...
Low-K材料是介电常数显著低于传统二氧化硅(SiO₂,k=3.9–4.2)的绝缘材料,主要用于芯片制造中的层间电介质(ILD)。其核心目标是通过降低金属互连线间的寄生电容,解决RC延迟(电阻-电容延迟)和信号串扰问题,从而提升芯片性能和集成度。