Low-K层是提高芯片稳定性和工作频率的关键技术之一。采用Low-K电介质可以有效地降低金属互连线之间的寄生电容,提高芯片的性能。然而,Low-K材料的加工难度较高,需要采用先进的激光开槽技术进行去除。随着芯片技术的不断发展,Low-K层的制作和去除技术也将不断进步,为芯片的性能提升提供更好的支持。
在半导体制造过程中,Low-k芯片胶通常被应用于晶圆开槽技术中。晶圆开槽技术是一种在芯片制造过程中形成微小通道或槽口的技术,用于实现芯片内部不同层之间的连接。在这些槽口中填充Low-k芯片胶可以有效地减少寄生电容,并提高芯片的工作频率和稳定性。 除了晶圆开...
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什么是low k芯片? ATi推出的Radeon 9600XT图形芯片是业界第一款采用Low-k低介电常数绝缘体技术的图形芯片,低介电常数绝缘体在图形芯片内部电路层之间起到绝缘作用,防止各层电路相互干扰,以提升图形芯片稳定性和工作频率,低介电常数绝缘体有效提升Radeon 9600 XT图形芯
Low-K膜的应用对于现代半导体制造具有重要意义。首先,它能够提高芯片的性能和稳定性,满足不断增长的市场需求。其次,Low-K膜能够降低芯片的功耗,提高设备的使用效率,减少能源消耗和环境污染。最后,Low-K膜的应用还能够促进半导体产业的发展,推动技术创新和产...
本发明涉及一种检测Low‑K工艺芯片分层的方法及装置,所述方法包括以下步骤:对芯片的背胶进行处理,得到裸露的芯片背面;获取芯片背面的图像信息,其中,图像信息基于红外光谱设备获取;根据图像信息,确定芯片背面是否存在形变区域,其中,形变区域为芯片内部发生分层现象对应的区域在硅衬底上的投影区域,形变至少包括凸起和凹陷;...
【专利摘要】本发明公开了一种low-k芯片的封装结构,包括:衬底;在所述衬底上形成的芯片;在所述芯片上形成的金属层;所述金属层包括相互电连接的多个通孔和多根连接线,以及填充在所述通孔和连接线周围的超低介电常数材料的介质层;所述介质层中的最顶层介质层将位于金属层中的最顶层连接线覆盖;由位于金属层中的最...
1. 一种Low-k芯片封装结构,其特征在于:它包括芯片本体I(2-1)、芯片电极(2-2)和芯片表面钝化层(2-3),所述芯片本体I(2-1)外包覆有薄膜层I(2-4),所述薄膜层I(2-4)背面设置有支撑圆片(2-5),所述芯片电极(2-2)经由再布线金属走线(2-6)转移至芯片周边外的薄膜层I(2-4)上,再布线金属走线(2-...
摘要 本发明涉及一种Low-k芯片封装方法,属于芯片封装技术领域,它包括以下工艺过程准备一片载体圆片,在载体圆片上贴上一层临时剥离膜,将芯片倒装在载体圆片上,载体圆片上贴上薄膜层I(2-4)进行包封,支撑圆片(2-5)键合到薄膜层I(2-4)上,在薄膜层I(2-4)完成再布线金属走线(2-6),在再布线金属走线(2-6)的...