Low-k芯片胶的应用对于现代集成电路的发展具有重要意义。随着集成电路的尺寸不断缩小和集成密度不断提高,寄生电容和寄生电阻等问题变得越来越严重。使用Low-k芯片胶可以有效地缓解这些问题,提高芯片的性能和可靠性,从而推动集成电路技术的进一步发展。 同时,Low-k...
1. 清洗晶圆:在成膜之前,需要对晶圆进行清洗,以去除表面的杂质和污染物,保证Low-K膜的质量和性能。 2. 沉积Low-K材料:将Low-K材料沉积在晶圆表面,通常使用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方法。 3. 固化Low-K膜:在沉积完成后,需要对Low...
ATi推出的Radeon 9600XT图形芯片是业界第一款采用Low-k低介电常数绝缘体技术的图形芯片,低介电常数绝缘体在图形芯片内部电路层之间起到绝缘作用,防止各层电路相互干扰,以提升图形芯片稳定性和工作频率,低介电常数绝缘体有效提升Radeon 9600 XT图形芯片工作频率到500MHz以上。00分享举报您可能感兴趣的内容广告 手机芯片...
33、本公开实施例提供的检测low-k工艺芯片分层的方法和装置,首先通过对芯片的背胶进行处理,得到裸露的芯片背面,然后基于获取的芯片背面的图像信息,确定芯片背面是否存在形变区域,若芯片背面存在形变区域,则可以确定该形变区域对应的芯片结构发生分层,此时,通过对该形变区域进行处理,可以得到形变区域内芯片的分层状态。由于对...
1. 一种Low-k芯片封装结构,其特征在于:它包括芯片本体I(2-1)、芯片电极(2-2)和芯片表面钝化层(2-3),所述芯片本体I(2-1)外包覆有薄膜层I(2-4),所述薄膜层I(2-4)背面设置有支撑圆片(2-5),所述芯片电极(2-2)经由再布线金属走线(2-6)转移至芯片周边外的薄膜层I(2-4)上,再布线金属走线(2-...
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【专利摘要】本发明公开了一种low-k芯片的封装结构,包括:衬底;在所述衬底上形成的芯片;在所述芯片上形成的金属层;所述金属层包括相互电连接的多个通孔和多根连接线,以及填充在所述通孔和连接线周围的超低介电常数材料的介质层;所述介质层中的最顶层介质层将位于金属层中的最顶层连接线覆盖;由位于金属层中的最...
摘要 本发明涉及一种Low-k芯片封装方法,属于芯片封装技术领域,它包括以下工艺过程准备一片载体圆片,在载体圆片上贴上一层临时剥离膜,将芯片倒装在载体圆片上,载体圆片上贴上薄膜层I(2-4)进行包封,支撑圆片(2-5)键合到薄膜层I(2-4)上,在薄膜层I(2-4)完成再布线金属走线(2-6),在再布线金属走线(2-6)的...