一般情况下器件工作在截至区或线性区,线性区的电阻即为 LDMOS 的导通电阻,导通电阻与器件面积的乘积就是特征导通电阻(Specific ON Resistance, Ron,sp)。 特征导通电阻是衡量碳化硅LDMOS性能的重要参数之一,目前研究的重点就是降低LDMOS的特征导通电阻。 Ron,sp越小,相同的额定电流所需的漏源压差越小,器件的损耗越低...
DMOS和LDMOS器件是两种常见的功率半导体器件。DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。DMOS/LDMOS器件 DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。 DMOS主要有...
无人机30W/50W LDMOS射频功放模块0.4G/0.8G/0.9G/1.2G/2.4G -- -- TXTELSIG -- 面议 深圳市特信电子有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 无人机带环形器50W LDMOS射频功放模块0.4G/0.8G/0.9G/1.2G/2.4G -- -- TXTELSIG -- 面议 深圳市特信电子有限公司 2年 -- 立即询价...
LDMOS是一种特殊类型的MOSFET晶体管,其结构与普通MOSFET晶体管略有不同。普通MOSFET晶体管采用垂直结构,而LDMOS采用侧向结构。这种结构使得LDMOS器件的漏极电流密度比DMOS器件更小,因此可以承受更高的电压和功率。 LDMOS器件由N型材料和P型材料组成,其中N型材料被夹在两个P型材料之间。这种结构使得电子可以在N型区域内...
1.LDMOS,即横向双扩散金属-氧化物-半导体, 一般N-LDMOS比较常见,是通过源的N+和下面的P-共同扩散来形成沟道的,由于沟道与正常的MOS管没什么区别,所以开启电压可以做到与普通MOS差不多, 另外,LDMOS一般用于高压功率电路,通过漂移区低的搀杂浓度来承受漏端高的电压; ...
LDMOS的优势是什么? 与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可达14dB以上,而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件,从而增大功放的可靠性。 cham3070 2020-04-07 09:00:33 ...
意法半导体提供工作电压在7-36 V之间的广泛RF LDMOS晶体管组合。成本效益高的解决方案,适用于1 MHz至2 MHz的RF应用,具有高峰值功耗和高稳定性。
而且Demos 可改变L ,LDMOS 会固定 L ,究其原因是LDMOS的L是由p-body和S/B端的n+两者的扩散速度差共同决定的,是不可调节的,如下图: 参考资料: 1、BCD工艺:(一个天大老师在b站讲的) https://www.bilibili.com/video/BV1ju4m1u7jB/?spm_id_from=333.999.0.0&vd_source=0ee32558c92b4e01bba7b8bbdc...
集成Doherty设计,覆盖700M-5GHz应用频率,峰值功率6~100W; 自主28V LDMOS 工艺平台,全国产供应; 产品性能国际领先,已在国内外关键客户大规模量产。 显示22种产品 产品型号 Min. Freq. Max. Freq. VDD Pavg(dBm) DE@Pavg Gain(dB) ACPR(dBc) Test Freq.(MHz) ...