LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一种横向双扩散金属氧化物半导体器件,属于高压、高频功率半导体技术的重要分支。它通过独特的工艺设计和结构优化,在高功率密度、高效率及热稳定性方面表现突出,广泛应用于通信、广播、雷达等领域。 一、结构与工艺特点 LDMOS的核...
它是一种高电压功率MOSFET器件,广泛应用于无线通信、广播电视、雷达、医疗和工业等领域。LDMOS具有低失真、高效率、高输出功率、高可靠性和低成本等优点,因此在功率放大器的设计中得到了广泛的应用。 1. LDMOS是什么? LDMOS是一种特殊类型的MOSFET晶体管,其结构与普通MOSFET晶体管略有不同。普通MOSFET晶体管采用垂直...
LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。 展开 新鲜 热门 筛选 设计资料 AN2048应用说明-PD54008L-E:8W 7V LDMOS,采用PowerFLAT封装 意法半导体(ST) 2023/04/25 AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS...
[导读]LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的,蜂窝通信市场的不断增长保证了LDM LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的,蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用,也使得LD...
LDMOS属于高压CMOS的一种，特别设计用于耐受40伏特以上的电压。结构特点：LDMOS包含不同的结构类型，如LDMOS和VDMOS，虽然它们的构造和制造工艺与传统的CMOS有所区别，但基本的工作原理是一致的。工作原理：LDMOS的工作原理是利用绝缘栅来控制沟道的导电性，这与传统的CMOS器件相似。应用场景：LDMOS因其在高压...
LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor)技术是一种高功率射频(Radio Frequency,简称RF)器件技术,常用于无线通信领域中的高功率放大器设计。与之相比,DMOS(Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)则是一种常用于低功率和中功率应用的器件技术。下面将详细介绍它们之间的区别。 首先,LDMOS和DMOS最明显的区别...
LDMOS晶体管是一种常见的功率放大器,在通信、雷达、射频射频、射频和微波应用中得到广泛使用。LDMOS晶体管是指低电阻MOS场效应晶体管,其主要特点是具有较低的电阻和较高的饱和电流。这使得LDMOS晶体管在高功率应用中表现出色,能够提供高功率输出和高效率。
LDMOS，即横向扩散金属氧化物半导体，是一种半导体技术。在半导体领域中，LDMOS主要指的是一种晶体管结构，通过横向扩散工艺形成金属氧化物半导体材料。这种技术具有优异的功率放大能力和射频性能，广泛应用于无线通信、雷达系统、射频识别等领域。LDMOS的应用领域 1. 功率放大：LDMOS技术具有出色的功率放大能力，...
LDMOS LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体) LDMOS器件结构如图1所示,LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次,一次注入浓度较大(典型注入剂量 1015cm-2)的砷(As),另一次注入浓度较小(典型剂量1013cm-2)的硼(B)。注入之后再进行一个高温推进过程,由于硼扩散比砷快,所以在栅极边界...