但是模拟IC要面临的Latch-up的情况更加复杂,所以这里介绍些非常规设计方案。 1.利用工艺优势,Epi(外延层工艺);DTI(深槽隔离);SOI(绝缘体上硅);NBL埋层,这些工艺都能有效改善Latch-up问题。 2.利用Deep N-WeLL 进行隔离,深N阱的隔离作用更加有效,也能有效缓解Latch-up。 3.浮阱设计(一种特殊设计,会造成阈值...
但是模拟IC要面临的Latch-up的情况更加复杂,所以这里介绍些非常规设计方案。 1.利用工艺优势,Epi(外延层工艺);DTI(深槽隔离);SOI(绝缘体上硅);NBL埋层,这些工艺都能有效改善Latch-up问题。 2.利用Deep N-WeLL 进行隔离,深N阱的隔离作用更加有效,也能有效缓解Latch-up。 3.浮阱设计(一种特殊设计,会造成阈值...
所谓的闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外,目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS (Electrical Over Stress) 问题与闩锁测试有相当程度关联,因此此项...
锁定效应(Latch-up)测试介绍 关键字: 随着电子技术的发展,电子电路的集成度越来越高,相关的电压瞬变会引起半导体器件失效,即锁定效应(latch-up)。锁定效应可使得器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS 和器件损坏。 锁定效应(latch-up)产生的条件:如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化...
首先，是环境温度，有两种，第一种就是在常温进行测试；另外一种就是规定温度下的测试，如最大运行温度，最大运行结温，或者是客户指明的温度等等。这一条件，只需要告诉第三方实验室即可设置。然后呢就要进行Latchup的测试，主要分为3个部分，其实可以总结为两部分，一是电流测试，另一个是电压测试：1.电流测试 ...
闩锁测试(Latch-up) 面板驱动芯片RA老化服务 芯片超高功耗老化寿命试验 芯片产品寿命预估 芯片可靠性硬件设计服务 汽车芯片电子可靠性试验 芯片封装可靠性环境试验 芯片老化寿命试验 阻燃防火检测 玩具其他国家检测(智利、日本、墨西哥、马来西亚) 文具及文教产品检测 甲状腺癌个性化用药解决方案 子宫内膜...
整个芯片的LatchUp测试流程大概就是这么多,当然,测试过程中,会对电压电流的上升下降和维持有严格的标准,我们这里不做过多叙述,这些需要用到的话直接到测试标准JESD78上面查看即可。 最后,我们再说一下,我们如果要委托第三方实验室做LatchUp实验的话,需要给他们提供什么测试条件: 芯片测试的温度,室温还是说特殊的温度...
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件: (i)当两个BJT都导通,在VDD和GND之间产生低阻抗通路; (ii) 两个晶体管反馈回路(feedback loop)增益的乘积大于1( ...
首先,消费级IC芯片的LatchUp测试主要依据标准JESD78进行测试,当然,会有专门的仪器设备进行测试,通常IC芯片出来之后,会委托第三方实验室进行LatchUp测试,(第三方实验室可以出一个测试报告,这样客户的认可度会比较高,而且设备仪器不用购买以及维护)。那么详细的测试条件和测试步骤分别是什么呢?