TK10A60W N沟道MOSFET【实物拍摄】K10A60W深圳现货供应欢迎查询 深圳市铭顺信电子有限公司 17年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥2.20 K10A60W TK10A60W 塑封TO-220F 600V 9.7A N沟道MOS场效应管 深圳市诚利电子科技有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3....
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型号 TK10A60W5 MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变...
TK10A60W 东芝场效应管 600V高电压MOS管 TO-220SIS 原装正品 TK10A60W 100000 东芝 TO-220SIS 新批次 ￥1.2000元1~-- 个 东莞市鑫江电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 MOS管 TK10A60W5-VB TO-220F微碧半导体场效应管电子元器件批量可谈 TK10A60W5-VB 99999 VBsemi/微碧半导体...
K10A60W还具有一个称为漏源导通电阻(RDS(on))的参数,它表示晶体管在完全导通时漏极和源极之间的电阻。较低的RDS(on)值表示晶体管更高效,功率损耗更小。 除了这些参数外,K10A60W还具有最大功率耗散(PD)指标,它表示晶体管在不过热的情况下能够处理的最大功率。考虑这个参数非常重要,以确保晶体管的可靠性和寿命...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 TK10A60W、 TOSHIBA(东芝)、 TO-220SIS 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA(东芝) 封装: TO-220SIS 批号: 2020+ 数量: 10 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小...
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型号 TK10A60W 类型 N沟道 包装 卷 封装 TO-220SIS 漏源电压(V) 600 栅源电压(V) ±30 漏极电流(A) 9.7 功率(W) 30 输入电容(pF) 700 总栅电荷(nC) 20 导通电阻(Ω) 0.38 引脚数量 3 体积(mm) 10.0 x 15.0 x 4.5 数量 100k 批号 新批次 品牌 东芝 价格说明 价格:商品...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号TK10A60W5-VB 商品编号C20755196 商品封装TO-220F 包装方式 管装 商品毛重 2克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 650V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 12A 导通电阻(RDS(on)) - ...
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