部件名K10A60D 下载K10A60D下载 文件大小164.35 Kbytes 页6 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述SwitchingRegulatorApplications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.58 Ω(typ.) ...
TK10A60D Datasheet (HTML) - Toshiba SemiconductorTK10A60D Product details• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.58 Ω(typ.)• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.)• Low leakage current: IDSS= 10 μA(max)(VDS= 600 V)• Enhancement mode: Vth= 2.0...
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 制造商 :Toshiba Semiconductor 封装/规格 :TO-220 产品分类 :晶体管 Datasheet:K10A60D Datasheet (PDF) RoHs Status:Lead free/RoHS Compliant 库存:7500 Share: 对比产品 数量 加入BOM询价 在线询价 温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通库存数量和价格回复结果。
TK10A60D Datasheet (PDF) ..1. Size:248K toshiba tk10a60d.pdf TK10A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS VII) TK10A60D Unit: mmSwitching Regulator Applications Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.58 (typ.) High forward transfer admit...
采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景。你可以下载 K10A60D-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: K10A60D-VB 我们提供 元器件采购 PCB定制服务 SMT贴片服务 PCBA加工服务 购物指南 关于询价 购物流程 退换货说明...
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