JEDEC JESD28-A-2001 发布 2001年总页数 20页发布单位 (美国)固态技术协会,隶属EIA适用范围 随着时间的推移,热载流子引起的 MOSFET 参数退化是现代微电路中一个重要的可靠性问题。高能载流子,也称为热载流子,是由漏极区附近的大沟道电场在 MOSFET 中产生的。电场将载流子加速到远高于晶格温度的有效温度。这些热载流...
国际标准分类中,jesd28a涉及到。 在中国标准分类中,jesd28a涉及到计算机设备、数据元表示方法、标准化、质量管理。 (美国)固态技术协会,隶属EIA,关于jesd28a的标准 未注明发布机构,关于jesd28a的标准 JEDEC JESD82-28A.01-2023全缓冲 DIMM 测试设计、验证设计 (DFx)...
JEDEC STANDARD Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DC Stress JESD28-A (Revision of JESD28) DECEMBER 2001 JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION NOTICE JEDEC standards and publications contain material that has been prepared, reviewed, and approved through the...
标准号 JEDEC JESD284A-1963 发布 1963年 总页数 9页 发布单位 (美国)固态技术协会,隶属EIA 适用范围 集电极-基极时间常数和共发射极输入阻抗电阻部分的测试方法 以前的 EIA-284-A,EIA-284 的修订版(以前的 RS-284) 购买 正式版JEDEC JESD284A-1963相似标准...