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JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices(硅半导体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的+/- 5℃内 最大电源电压...
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JESD22-A119A Low Temperature Storage Life 低温贮存寿命 热度: JESD22-A108-B是JESD22-A108-A订订订的修版。 订准内适用的文件: EIA/JESD47Stress-TestDrivenQualificationofIntegratedCircuits—— EIA/JEP122FailureMechanismandModelsforSiliconSemiconductor—— ...
JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices(硅半导体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的+/- 5℃内 最大电源电压...
1、JESD22-A108-B IC寿命试验标准JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。标准内适用的文件:EIA/JESD 47 Stress-Test Driven Qualification of Integrated CircuitsEIA/JEP 122 Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices(硅半导体器件的失效机理和模型)试验室温度应保持在特定温度的+/- 5内最...
一般一些输入参数也许被用来调整控制内部功耗例如电源电压时钟频率输入信号等这些参数也许工作在特定值之外但在应力下会产生可预见的和非破坏性的行为 JESD22-A108-BIC寿命试验标准 JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated ...
JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD47 Stress-TestDrivenQualificationofIntegratedCircuits EIA/JEP122 FailureMechanismandModelsforSiliconSemiconductorDevices(硅半导 体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的 +/-5C内 ...
内容提示: JEDEC STANDARD Temperature, Bias, and Operating Life JESD22-A108-B (Revision of JESD22-A108-A) DECEMBER 2000 JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION 文档格式:PDF | 页数:10 | 浏览次数:197 | 上传日期:2014-07-18 17:35:35 | 文档星级: JEDEC STANDARD Temperature, Bias, and ...
JESD 22_A108_B_2000