The basic cross-modulation and intermodulation performance characteristics of MOS-FET''s in a tuned amplifier at 75 MHz have been analysed, measured and co... OA Dogha,MB Das - 《International Journal of Electronics》 被引量: 1发表: 1978年 On the noise performance of bipolar transistors in ...
Re: Transistors (BJT, J & MOS -fet's) and their Circles in schematics. «Reply #1 on:February 03, 2019, 06:42:44 pm » The circles are there so we can tell the difference between a dual transistor and two individual transistors, between a darlington transistor and two individual tra...
金融界2024年11月1日消息，国家知识产权局信息显示，南京芯干线科技有限公司取得一项名为“具有倾斜J-FET区域的SiC MOS及制备方法”的专利，授权公告号 CN 118352397 B，申请日期为2024年5月。本文源自：金融界 作者：情报员
金融界2024年11月1日消息,国家知识产权局信息显示,南京芯干线科技有限公司取得一项名为“具有倾斜J-FET区域的SiC MOS及制备方法”的专利,授权公告号 CN 118352397 B,申请日期为2024年5月。
2SJ551(L),2SJ551(S)Silicon P Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-647B (Z)3rd. EditionJun 1998Features• Low on-resistanceRDS(on) = 0.050Ω typ. 数据表 search, datasheets, 电子元件和半导体, 集成电路, 二极管, 三端双向可控硅 和其他半导体的
具有倾斜J-FET区域的SiCMOS及制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,具有倾斜J-FET区域的SiCMOS及制备方法说明:本发明涉及一种具有倾斜J‑FET区域的SiC MOS及制备方法;SiC MOS包括衬底、N‑漂移区、...专利查询请上爱企查
TOREX特瑞仕XC62FJ3302PR-G降压dc-dc升压芯片MOS管等SOT-89封装 ￥0.73 获取底价 深圳市泰德兰电子有限公司 商品描述 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 品牌 Nisshinbo日清纺 运放类型 音响设备音频运算放大器 放大器组数 电元芯片 输入偏置电流(Ib) 低输入偏置电流5pA 输出类型 ...
doi:10.1016/0026-2714(72)90167-9Microelectronics Reliability
234Kb/7P30V, 40A, 4.0m max Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching RJK03N3DPA 193Kb/7P30V, 35A, 4.7m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching More results 制造商部件名数据表功能描述 ...
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