1952年,W.Sockley提出第一个现代场效应器件,即结型场效应晶体管(J-FET),并对其进行了分析。1953年,Dacey和Ross制造出可实际工作的J-FET。如下图所示,在J-FET中,pn结代替了Lilienfeld结构中的金属平板,A和B接触电极称为源和漏,场效应电极称为栅,通过pn结耗尽层来调制源和漏接触电极之间半导体的电导率。 结型...
NJM064M-TE1 JRC DMP14 J-FET输入低功耗运算放大器 蓝信伟业电子 见描述 3000 other/其他 -- ￥22.0000元1~-- 件 沭阳县得甚欢亦电子商务有限公司 2年 -- 立即订购 立即询价 查看电话 AD8510ARZ-REEL7 J-FET运算放大器芯片ADI/亚德诺 封装SOP8 AD8510ARZ-REEL7 111111 ADI/亚德诺 SOP8 2024...
结型场效应晶体管J-FET的基本结构涉及在横截面中施加的栅电压改变pn结的耗尽层宽度和垂直于半导体表面的电场，进而调节源、漏接触电极之间的电导。J-FET的工作过程仅涉及一种载流子，通常为电子从源端流向漏端的过程。载流子在源电极流入半导体，在漏电极处流出，栅电极则起到控制或开关的作用。定性分析J...
1.因为J-FET的Rgs很大,使用时应注意无静电操作,避免栅极击穿 2.设计电路考虑各极限参数,不能超出范围 3.将J-FET当作可变电阻使用时,要保证器件有正确的偏置,不能使之进入恒流区。
热释红外线传感器产品已采用的J-FET有很多种,性能和参数有所差异,如何确定J-FET的适用性是热释红外线传感器厂商所关注的问题。我们知道,热释红外线传感器产品的热释红外线接收片(以下称源片)是基于在一定距离内人体体温可以辐射出来的红外线,由于人体所处环境温度的影响,接收到的红外线能量非常微弱,以致到达下图栅...
J-FET的输出特性曲线 由图中可以看出,J-FET的输出特性曲线分为四个区域:可变电阻区、线性放大区、截止区和击穿区。下面分别来说说。 1. 截止区 在N沟道J-FET输出特性曲线图中可以看到,当Ugs=-5V,Id=0时,这时由于两个PN结的反偏电压很大,导致N型沟道的宽度几乎为零,就好像被“夹断”一样,我们把J-FET刚...
J-FET场效应管的常用参数及含义 [ l ]饱和漏极电流 IdsS 。是指在 Ugs=OV, UdS>=|Up|时的漏极电流 Id 值。 [ 2 ]夹断电压 Up 。是指当 UdS 固定时,使得 Id=O 时的栅源电压值; [ 3 ]直流输入电阻 RgS ,它等效于栅极直流电压 UgS 与栅极直流电流1g之比,J-FET 的 Rgs 往往在 10e8-10el2...
J-FET接成二极管如何变成了“恒流二极管” [导读]恒流电路有很多场合不仅需要场合输出阻抗为零的恒流源,也需要输入阻抗为无限大的恒流源。 恒流电路有很多场合不仅需要场合输出阻抗为零的恒流源,也需要输入阻抗为无限大的恒流源,以下是几种单极性恒流电路:
( 1 ) J-FET 的输出特性曲线 J-FET 的输出特性曲线是指一组 UgS 固定为不同值时的Id-Ugs 关系曲线,即: Id = f ( Ugs , Ucts )函数关系。请看图 1 . 17 : N 沟道 J-FET 输出特性曲线分为四个区域: 从图1 . 17 可以看出,大区、截止区、击穿区。可变电阻区、线性放大区 ...
transistor.transistor.TheFEToperatesbytheTheFEToperatesbythe effectsofanelectricfieldontheflowofeffectsofanelectricfieldontheflowof electronsthroughasingletypeofelectronsthroughasingletypeof semiconductormaterial.semiconductormaterial.ThisiswhytheThisiswhythe ...