接合型fet及其制造方法
一种接合型FET及其制造方法.在现有的接合型FET中,用于沟道区域由外延层形成,故不能形成浅的沟道区域,从而高频特性的改善有限.另外,分离区域和沟道区域的pn结的杂质浓度差大,不能降低漏泄电流.再有,由于沟道区域深,故栅极区域也需要通过离子注入及扩散深地形成,从而内部电阻也高,不能实现噪声特性的改善.通过离子注入...
接合型fet及其制造方法CNdoi:CN101145585 A小林俊介