一、ITO薄膜的基本性能ITO(In2O3:SnO2=9:1)的微观结构,In2O3里掺入Sn后,Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在,因为In2O3中的In元素是三价,形成SnO2时将贡献一个电子到导带上,同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴,形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率...
还有,部分薄膜系太阳电池,LED中也被使用。一般的ITO用溅镀法,以薄膜形式来被使用。膜的基本特性是,可视透光率90%以上, 阻抗率0.2mΩ-cm,耐久性也很优异,FPD用透明导电薄膜有90%以上是使用ITO靶材镀膜。 ITO 靶材主要性能指标 比例 In2O3/SnO2 90/10% , 配比可按用户要求...
取ITO膜电导率σ为0—5000(Ω-1・cm -1,步 长40(Ω-1・cm -1,膜厚d =300nm.其方块电阻R □=ρ/d =1/(σd =6—833(Ω.ITO膜折射率取2.2. 垂直入射有θ=0.红外波段取8—14µ m范围,步长0.1µm.温度取T =300K.其计算结果如图2—6所示. 图2ITO膜红外发射率光谱理论曲线 我们采用磁...
1)一种溅射靶,其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体,其特征在于,含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8%以上且3.7%以下(其中不包括3.7%)的Sn,烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm~5.0μm的范围,长径0.1μm~1.0μm的孔隙的面积比率为0.5%以下,形成有氧化铟相和富氧化锡相两相,富氧化锡相的面积率为0.1%~1....
Corsini Encyclopedia of Psychologydoi:10.1002/9780470479216.corpsy0839Christopher M. LootensRosemery O. Nelson〨ray
4.如权利要求1所述的一种剥离制备ITO图形的方法,其特征在于,步骤B中所述的光刻胶的厚度范围为1.5-3μm;所述曝光时间为7-10秒,曝光光强为7-12mW/cm2;所述显影时间为40-55秒;光刻胶为正性光刻胶。 5.如权利要求1所述的一种剥离制备ITO图形的方法,其特征在于,步骤C、E和F中所述SiO2腐蚀液均为含有HF...
目前ITO膜层的电阻率一般在5*104Ωcm左右,最好的可达5*105Ωcm,已接近金属的电阻率。实际应用ITO时,以方块电阻(用R□表示)来表征ITO的导电性能。 方块电阻的定义 图1是电流平行经过ITO膜层的情形,其中,d为膜厚,I为电流,L1 为在电流方向上的膜层长度,L2为在垂直于电流方向上的膜层长度。当电流流过如图所...
图7原子力显微镜下2μm电极及玻璃基板截面形状曲线图 4 结论 将无掩模光刻技术与湿法刻蚀技术结合,以 ITO 玻璃为基片,以SU-83005光刻胶为光刻材料,以浓盐酸、浓硝酸、纯水的混合液为刻蚀液,通过不断的实验优化,得到最优工艺参数。即在本实验条件下,将曝光剂量设定为1200mJ/cm2、显影时间控制为30s、刻蚀时间控制...
层,蒸发时真空度为‑1.0×10Pa,疏水层的厚度为14μm。 [0065]该ITO导电膜玻璃在可见光(350‑750mm)下的平均透过率T=80.5%、采用电阻计 ‑4 测量的电阻率为9.5×10Ω·cm,将样品暴露在空气相对湿度80%的环境中10天,ITO导电 膜玻璃无颜色变化,且无斑点等霉变现象,说明防潮性较好。本对照例中,阻挡层仅...
企业类型: 外贸企业 企业规模: 50人以下 企业性质: 私营企业 成立日期: 2016-01-15 代工模式: CMTOBMODMOEM 精选产品 Heart rate monitor KWL-B01 Heart rate monitor KWL-B106 Heart rate monitor LK87 联系我们 立即在线沟通 快速获取更多信息 即时通信 ...