有关,即组成ITO薄膜本轻这历父罗身的锡含量和氧含量有关,为了得到较高的载流子浓度(n)可以通过调节IT比打O沉积材料的锡含量和氧含量来实现;而载流子迁移率(T)则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关,为了得到较高的载流子迁移率(T),可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等...
为了得到较高的载流子浓度(n)可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现;而载流子迁移率(T)则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关,为了得到较高的载流子迁移率(T),可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。
多种工艺可以用来制备透明导电薄膜,如磁控溅射真空反应蒸发、化学气相沉积、溶胶一凝胶法以及脉冲激光沉积等。其中磁控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优点而成为一种广泛应用的成膜方法。 1.ITO膜的制作方式及优缺点分析 薄膜的性质是由制作工艺决定的,改进制备工艺的努力方向是使制成的薄膜电阻率低、透射率高且表面...
多种工艺可以用来制备透明导电薄膜,如磁控溅射真空反应蒸发、化学气相沉积、溶胶一凝胶法以及脉冲激光沉积等。其中磁控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优点而成为一种广泛应用的成膜方法。 1.ITO膜的制作方式及优缺点分析 薄膜的性质是由制作工艺决定的,改进制备工艺的努力方向是使制成的薄膜电阻率低、透射率高且表面...
可以用来制备ITO薄膜的成膜技术很多,如磁控溅射沉积 、真空蒸发沉积和溶胶- 凝胶( Sol -Gel)法等。 3.1 磁控溅射沉积 磁控溅射沉积可分为直流磁控溅射沉积和射频磁控溅射沉积。 直流磁控溅射是目前应用较广的镀膜方法,一般使用导电铟锡合金靶,溅射室抽真空后除了要通入惰性气体Ar ,还要通入反应气体O2 。溅射的基本...
① ITO 导电膜玻璃介绍 ITO 导电膜玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上,利用磁控溅射的方法沉积二氧化硅(SiO2)和氧化铟锡(通称 ITO)薄膜加工制作成的一种具有良好透明导电性能的金属化合物,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等特性。
14化学气相沉积法(CVD)化学气相沉积法(CVD)是一种或几种气态反应物(包括易蒸发的凝聚态物质在蒸发后变成的气态反应物)在衬底表面发生化学反应而沉积成膜的工艺。反应物质是由金属载体化合物蒸气和气体载体所构成,沉积在基体上形成金属氧化物膜,衬底表面上发生的这种化学反应通常包括铟锡原材料的热分解和原位氧化u2I...
其中磁控溅射工艺具有沉积速率高均匀性好等优点而成为一种广泛应用的成膜方法。对磁控溅射的原理、磁控溅射具有的特点进行了较为详细的叙述。【关键词】ITO薄膜;透明导电氧化物薄膜;磁控溅射引言在平面面板显示器的发展过程中,铟锡氧化物透明导电薄膜是显示器面板制程中非常重要的技术项目,其薄膜的物理特性将深深地影响...
磁控溅射制备的涂层均匀、成膜快、加工稳定,因此大多数实际项目采用磁控溅射制备ITO涂层。 在通常的ITO涂层制备过程中,基材温度至少在200℃以上,后续退火处理保证了光电性能和结合强度。由于柔性材料不耐热,除尘机温度要求低于100°C。因此,柔性基材制备的ITO涂层的光电性能和结合强度不够好。