晶体管极性 N-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 100V Id-连续漏极电流 33A RdsOn-漏源导通电阻 44mOhms Vgs-栅极-源极电压 -20V,+20V 可售卖地 全国 技术参数 品牌: IR 型号: IRF540NPBF 封装: TO 批号: 2035+ 数量: 7500 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风...
100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 33 A Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2...
IRF5NJ540- POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=22A*) - International Rectifier 2022-11-04 17:22:44 H20R1203到底能不能用IRF250代换? 使用。 首先,让我们来了解一下H20R1203和IRF250这两款晶体管。 H20R1203是一款N-通道增强型晶体管。它具有1200V的额定电压和20A的额定电流...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-220-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 100 V Id-连续漏极电流 33 A Rds On-漏源导通电阻 44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 2 V Qg-栅极电荷 ...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的IRF540N 元器件,主要参数为:44mΩ 100V TO-220 N-Channel 20V 33A,IRF540N库存充足,购买享优惠!
1国内(含增税) 交期(工作日): 7-22 库存: 1 50(10起订) 1 2050(50起订) 数量: X8.98402(单价) 总价: ￥ 449.201 加入购物车立即购买 品牌:Infineon(英飞凌) 型号: IRF540NLPBF 商品编号: G0318957 封装规格: 商品描述: MOSFET N-Channel HEXFET 100V 33A TO262 EDA模型 查看详情 原理...
Typ. Max. Units Conditions ––– ––– 33 ––– ––– 110 A MOSFET symbol showing the integral reverse p-n junction diode. G D S ––– ––– 1.2 V TJ = 25°C, IS = 16A, VGS = 0V ––– 115 170 ns TJ = 25°C, IF = 16A ––– 505 760 nC di/dt = 100...
IRF540N参数:100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 产品种类: MOSFET 制造商: IR RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 33 A ...
©2002FairchildSemiconductorCorporationIRF540NRev.CIRF540N33A,100V,0.040Ohm,N-Channel,PowerMOSFETPackagingSymbolFeatures•UltraLowOn-Resistanc..