IPG20N06S2L65AATMA1 商品编号 C3278669 商品封装 TDSON-8 包装方式 编带 商品毛重 0.2克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)55V 连续漏极电流(Id)20A 导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V,15A ...
IPG20N06S2L65AATMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:IPG20N06S2L65AATMA1 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 点击此处查询IPG20N06S2L65AATMA1的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
制造商产品型号:IPG20N06S2L65AATMA1 制造商:英飞凌(Infineon Technologies) 描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS? 零件状态:有源 FET类型:2 N-通道(双) FET功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):55V 25°C时电流-连续漏极(Id):20A...
价格 ¥ 0.00 起订数 10个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IPG20N06S2L65AATMA1、 Infineon、 DFN8 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 封装: DFN8 批号: 24+ 数量: 132058 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101,...
IPG20N06S2L65AATMA1 数据手册 / 9 当前在看 IPG20N06S2L-65A OptiMOS ® Power-Transistor Features • Dual N-channel Logic Lev el - Enhancement mode • AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature ...
制造商产品型号:IPG20N06S2L65AATMA1 制造商:英飞凌半导体(Infineon) 描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS? 零件状态:有源 FET类型:2 N-通道(双) FET功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):55V 25°C时电流-连续漏极(Id):20A 不同...