2个N沟道 耐压:65V 电流:20A 品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号 IPG20N06S2L65ATMA1 商品编号 C3278691 商品封装 TDSON-8 包装方式 编带 商品毛重 0.355克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道
IPG20N06S2L-65A OptiMOS ® Power-Transistor Features • Dual N-channel Logic Lev el - Enhancement mode • AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green Product (RoHS compliant) ...
商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 存储IC 商品关键词 IPG20N06S2L65ATMA1、 INFINEON、 英飞凌、 PG、 TDSON、 8 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON/英飞凌 封装: PG-TDSON-8 批号: 22+ 数量: 9370 制造商: Infineon Technologies FET 类型: 2 N-通道(双) FET 功能: 逻辑电平门 漏...
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制造商产品型号:IPG20N06S2L65ATMA1 制造商:英飞凌半导体(Infineon) 描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 产品系列:* 零件状态:有源 FET类型:2 N-通道(双) FET功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):55V 25°C时电流-连续漏极(Id):20A ...