免费查询更多ipd50n06s4l-12详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
原字IPD50N06S4L-124N06L12 TO-252 MOS场效应管 N沟道 60V 50A 深圳市南山区鹏顺微元件商行11年 月均发货速度:暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥1.00 PD60R1K5CEAUMA1 IPD70P04P4-09 IPD95R750P7IPD50N06S4L-12场效 深圳市阿米星电子科技有限公司1年 ...
IPD50N06S4L-1260V, N-Ch, 12 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2 Summary of Features N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260°C peak reflow 175°C operating temperature Green Product (RoHS compliant) ...
起订数 10个起批 100个起批 500个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 IPD50N06S4L-12、 原装INFINEON、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: 原装INFINEON 封装: TO-252 批号: 24+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: ...
IPD50N06S4L-12 晶体管 Infineon 产品属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms ...
IPD50N06S4L-08和IPD50N06S4L-12,对比:IPD50N06S4L-08 封装:TO-252-3,引脚:3,通道数:1,功耗:71 W,上升时间:2 ns,极性:N-CH,阈值电压:1.2 V,漏源极电压:60 V,eccn代码:EAR99,连续漏极电流:50A,长度:6.5 mm,宽度:6.22 mm,高度:2.3 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅...
商品型号IPD50N06S4L-12 商品编号C536778 商品封装TO-252-3 包装方式 编带 商品毛重 0.37克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) - 属性参数值 阈值电压(Vgs(...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 IPD50N06S4L-12、 INFINEON/英飞凌、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON/英飞凌 封装: TO-252 批号: 19+ 数量: 25000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电...
在淘宝,您不仅能发现IPD50N06S4L12ATMA2原装正品「MOSFET N-CH 60V 50A TO2的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于IPD50N06S4L12ATMA2原装正品「MOSFET N-CH 60V 50A TO2的信息,请来淘宝深入了解吧!
在淘宝,您不仅能发现全新原厂IPD50N06S4L12ATMA2正品MOSFET N-CH 60V 50A的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于全新原厂IPD50N06S4L12ATMA2正品MOSFET N-CH 60V 50A的信息,请来淘宝深入了解吧!