IPD50N06S2-14 特征描述 N 通道 - 增强模式 通过汽车 AEC 101 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(无铅) 超低Rds(on) 100% 经过雪崩测试 优势 55V 时, RDS (on)为世界极低值,采用平面工艺 极高的冲击电流能力
IPD50N06S2-14全新原装TO-252-3 55V 50A 14.4m? N沟道MOS管 合科电子(深圳)有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.24 IPD50N06S2-14 N沟道MOS管场效应管TO-252 55V 50A 全新原厂厂家 深圳市韦盛半导体有限公司 5年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3.5...
IPD50N06S2-14和SPD50N06S2-14,对比:IPD50N06S2-14 封装:TO-252-3,极性:N-CH,漏源极电压:55 V,连续漏极电流:50A,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,输入电容:1485pF @25V(Vds),额定功率:136 W;SPD50N06S2-14 封装:DPAK...
型号 UMW IPD50N06S2-14 封装 TO-252 最小包装 2500/盘 数量 1000 批号 最新 发货地 深圳 可销售地区 全国 特色服务 一站式配单 产品说明 全新原装 品牌 UMW(友台半导体) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格...
品牌名称 Infineon(英飞凌) 商品型号 IPD50N06S2-14 商品编号 C536774 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)55V 连续漏极电流(Id)50A ...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的IPD50N06S2-14 元器件,主要参数为:IPD50N06S214ATMA2_14.4mΩ 55V 50A PG-TO252-3-11 2.1V,4V,IPD50N06S2-14库存充足,购买享优惠!
**IPD50N06S2-14-VB Detailed parameter description and application introduction: **. . - **Parameters: **. - Silk screen: VBE1615. - Brand: VBsemi. - Package: TO252. - Type: N—Channel. - Rated voltage: 60V. - Rated current: 60A. ...
品牌/型号:INFINEON/英飞凌/IPD50N06S2-14 IPD30N06S2-15 IPD30N06S2L-23 种类:绝缘栅MOSFET 材料:P-FET硅P沟道 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IPD50N06S2-14 IPD30N06S2-15 IPD30N06S2L-23 封装外形:SMDSO/表面封装 ...
IPD50N06S2-14一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注于为世界500强等电子企业提供优势的电子元件分销服务,并成为众多客户的合作伙伴。IPD50N06S2-14一手货源 ...