IPD110N12N3G INFINE 特莱电子元器件现货供应 深圳市特莱科技有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.75 IPD110N12N3G 110N12N TO-252 120V 75A N沟道MOS场效应管 现货 深圳市诚利电子科技有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.38 全新原装 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号IPD110N12N3G-VB 商品编号C18212573 商品封装TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.366克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 15A 导通电阻(RDS(on)) 114mΩ@10V,3A...
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Infineon N-CH 120V 75A IPD110N12N3 G Datasheet PDF Infineon Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3Pin(2+Tab) TO-252 IPD110N12N3GBUMA1 Datasheet PDF Infineon DPAK N-CH 120V 75A IPD110N12N3G Datasheet PDF Infineon MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 Data...
发货地 广东中山 商品类型 电子元器件 、 处理器及微控制器 、 嵌入式/微处理器 商品关键词 IPD110N12N3G、 INFINEON/E、 BGA 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON/E 封装: BGA 批号: 21+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压...
商品型号 IPD110N12N3G-JSM 商品编号 C18193066 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)15A 导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V,10A ...
Infineon N-CH 120V 75A IPD110N12N3 G Datasheet PDF Infineon Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3Pin(2+Tab) TO-252 IPD110N12N3GBUMA1 Datasheet PDF Infineon DPAK N-CH 120V 75A IPD110N12N3G Datasheet PDF Infineon MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 Data...
起订数 100个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IPD110N12N3G、 Infineon、 SMD 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 封装: SMD 批号: 21+ 数量: 5400 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大...
**IPD110N12N3G-VB**. . **Silkscreen:** VBE1101N . **Brand:** VBsemi . **Parameters:** TO252; N—Channel, 100V; 70A; RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=3.2V . . **Package:** TO252 . . **Detailed parameter description:** . - **Channel type:** N—Channel . - *...