唯样商城为您提供Infineon设计生产的IPB120N10S403ATMA1 元器件,主要参数为:IPB120N10S4-03_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) 车规,IPB120N10S403ATMA1库存充足,购买享优惠!
唯样编号 D-IPB120N10S403ATMA1 A-AUIRFS4010 制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies 供应商 海外代购D 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 数据表 IPB120N10S403ATMA1.pdf AUIRFS4010.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大...
爱企查为您提供IPB120N10S403ATMA1 电子元器件 INFINEON 封装PG-TO263-3 批次22+,深圳市友信发科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。电子元器件;电子元器件批发;电子元器件行情报价;电子元器件价格;电子元器件底价;电子元器件图片;电子元器件厂家;电子
型号/规格: IPB120N10S403ATMA1 品牌/商标: INFINEON(英飞凌) 封装形式: 263-3 环保类别: 无铅环保型 安装方式: 贴片式 包装方式: 盒带编带包装 功率特征: 大功率 年份: 18+ 数量: 56592 备注: 全新原装 大量库存现货 封装: TO-263 包装: 1000
数据表 IPB120N10S403ATMA1.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) 250W(Tc) - 功率 - 333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5 毫欧 @ 75A,10V 产品特性 车规 - 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 10120pF @ 25V - 栅极电压Vgs - ±20V 封装/外壳 TO-263-3,D²...
数据表 IPB120N10S403ATMA1.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) 250W(Tc) - 功率 - 333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5 毫欧 @ 75A,10V 产品特性 车规 - 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 10120pF @ 25V - 栅极电压Vgs - ±20V 封装/外壳 TO-263-3,D²...
数据表 IPB120N10S403ATMA1.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) 250W(Tc) - 功率 - 333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5 毫欧 @ 75A,10V 产品特性 车规 - 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 10120pF @ 25V - 栅极电压Vgs - ±20V 封装/外壳 TO-263-3,D²...