泡泡网固态硬盘SSD频道12月7日 前不久我们报道了Intel将在2012年第三季度发布全新的代号为King Crest新款SSD,取代现有的510以及即将发布的520 SSD,产品将率先使用20nm MLC NAND闪存,产品容量将得到进一步提升,1TB已是水到渠成。而Intel和镁光今天宣布了全球首款基于20nm MLC NAND闪存,容量高达128Gb。 新款20nm 12...
,大概意思就是你可以把这块固态当传家宝一直传下去。 这个固态是现在英特尔家最强的固态型号了,采用了20NM NAND mlc加Het高耐久技术制造,目前还没有s3800系列要推出的消息,在现在这个TLC横行的时代,这简直是高达般的存在。 英特尔 DC S3710_淘宝搜索 http://s.taobao.com/search?q=%E8%8B%B1%E7%89%B9%E5%B...
▲主控右侧有三颗小 IC,这三颗是来自美光的 DDR3 缓存,单颗容量为 256MB。 ▲正下方是 6 颗 Flash,来自 Intel,型号为 29F32B08MCMFS,是单颗容量为 32GB 的 MLC NAND Flash,为 20nm 制程。 ▲底部还有一颗大电容,用于断电回写,企业级标配,来自 Nichicon(尼吉康),规格为 35V 680 微法。 ▲在另外一侧...
Most IMFT NAND that's used in SSDs are built using a 25nm process - the move to 20nm reduces die size and in turn reduces cost over time. A single 8GB 2-bit-per-cell MLC NAND die built on IMFT's 25nm process measures in at 167mm2, while the same capacity on IMFT's 20nm...
Intel SSD DC S3500上面使用的20nm MLC NAND颗粒,型号Intel 29F32B08MCMF2-ES(来源:ZDnet,下同) 首先是使用20nm MLC芯片,这很好理解,和前面说过的类似:由于采用了它导致了耐久度的降低(特别低,S3500采用的是普通的MLC而不是Intel的HET MLC),P/E周期大约为3000次;20nm MLC的优点则是新的工艺带来功耗和成本...
The first 8GB MLC NAND device built on a 20nm process. This is obviously an announcement of pre-production silicon, it’ll take IMFT until the second half of this year (at least) to start shipping production quality 20nm NAND. IMFT 20nm 8GB NAND, 118mm2 ...
虽然25nm NAND工艺进展不顺,但技术前进的脚步永远不会停歇,Intel、美光今天又联合宣布了最先进的20nm工艺。 20nm工艺依然由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies(IMFT)负责制造,可以生产出容量达64Gb(或者说8GB)的MLC NAND闪存颗粒,而且核心面积仅仅118平方毫米,相比25nm 8GB NAND闪存减小30-40%。
实际上Intel首次采用SK Hynix闪存,他们的内部测试要比通常还要苛刻。 Storagereview网站已经测试了Pro 2500系列的240GB硬盘性能,正反面各使用了8片SK Hynix的20nm MLC闪存, 正面8颗NAND闪存 背面是主控和另外8颗闪存
在去年,Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm,不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里,而果不其然,它们又再度携手,将技术推至20nm,并且打造出仅118mm平方大小的8GBMLC Flash,比起25nm更缩小近30~40%电路板空间,而这也有利于在有限的空间如SSD中合并更多的8GBNAND,组成更大容量的储存模块。
从电子显微镜结合分析可知Intel傲腾内存当前运用了20nm工艺制造,相比1x nm 2D工艺制程要早上一代,相比当前3D闪存成本就更要高出许多。傲腾的Die大小和Intel/Micron的20nm 128Gb 2D MLC闪存接近,如果不考虑研究成本只说晶圆成本的话是比较接近的。 将傲腾与NAND闪存对比,采用3D XPoint技术的傲腾DC P4800X价格要比它...