全球先进半导体技术领军品牌三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。 三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示:“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线,我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化,将加强三星...
日前,三星电子宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。 3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成,单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术,各个存储单元把电荷存储在绝缘体中,并通过存...
870evo不是说TLC颗粒吗,官网参数介绍1xx层的第六代V-NAND 3bit MLC颗粒,这个也属于TLC颗粒吗,还是今年更换颗粒了,不太懂问一问 闪现接阿狸e 路人丙 1 文字游戏1cell存1bit数据 slc2bit mlc3bit tlc4bit qlc zry980321 颇具名气 13 人家的mlc是多层存储单元的意思,不是传统意思的mlc,文字游戏,已经很长...
“多层”和“三层”显然无法比较。所以按英文字面意思已经没有意义。 tlc已经被赋予特殊含义,即每单元3bit。2bit的mlc寿命会比3bit的tlc长。 而三星所谓 V-NAND 3bit MLC,寿命比他自家的 V-NAND 2bit MLC寿命短。印证了假mlc真tlc的事实。 有的人似是而非,不知道是故意,还是学渣,只有他自己知道了...
造成这个现象的根本原因是基本的物理特性。2bit MLC每cell单元储存2bit数据只可只需要一两打电子,3bit MLC(也就是TLC)的每个cell单元储存,随着NAND的缩小情况变得不同了,如果到了14/15/16nm阶段,情况会变得更加困难。 三星做了很萌的解释 测量存储单元中这些极微小的变化很困难,特别是当NAND cell单元越来越小、...
三星的第二代40nm 32层3D V-NAND采用了共线生产，简单点说就是为了省成本。设计初衷就是直接使用节省成本的TLC架构，然后再把原本的TLC模拟成MLC使用，使得颗粒十分近似于原生MLC（包括速度、耐久度等）。再用颗粒“混搭”的方式，让缩水了1/3容量的128Gbit颗粒组成新消费级旗舰卖。因此即将发布的850...
目前的128Gb核心NAND已经很好,不过这肯定不是终点,三星预计在2017年实现每核心1Tb,这都要归功于3D NAND。此外,理论上三星还可以使用更先进的制程工艺来提高储存密度,只是这样做也会面临传统二维NAND结构需要面对的难题。另外,目前的V-NAND还是2bit MLC,有需要的话三星还可以选择使用3bit MLC(TLC)来进一步提高储存密...
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[导读]近日消息,三星电子宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。 三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示:“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线,我们相信3bit V 近日消息,三星电子宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。三星电子存储芯...
2bit MLC每cell单元储存2bit数据只可只需要一两打电子,3bit MLC(也就是TLC)的每个cell单元储存,随着NAND的缩小情况变得不同了,如果到了14/15/16nm阶段,情况会变得更加困难。三星做了很萌的解释测量存储单元中这些极微小的变化很困难,特别是当NAND cell单元越来越小、靠得越来越近的情况下。20nm工艺之后,cell...