碲镉汞MCT / InAs / InAsSb探测器,平衡探测器,单光子探测器/计数模块,飞秒激光器,中红外LED,III-V族外延片,高温镀铜镀金光纤,中红外光纤和光纤探头,激光驱动和温控模块,量子系统控制(MOT),TDLAS和光声光谱一体化解决方案,基于饱和吸收光腔衰荡CRDS放射性碳分析仪C14-SCAR。
同时,在长波波段,InAs/InAsSb T2SLs在生长方向上空穴迁移率低于InAs/GaSb T2SLs,进一步降低了少子扩散长度。而InAs/InAsSb T2SLs的电子迁移率明显优于空穴迁移率,因此,为了提高量子效率,长波需要采用p型InAs/InAsSb T2SLs作为吸收层,相关性能指标仍处于研发初期。总体来说,目前InAs/InAsSb T2SLs在高温工...
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InAs-InAsSbdevice fabrication schemeelectrochemical sulphur passivation schemeAn investigation on the suppression of surface-related dark current in InAs/InAsSb superlattice mid-wave infrared detectors with pin architecture through the optimisation of device fabrication scheme is presented. In particular, ...
"英纳仕iNAS(电话0755-36962527)-深圳市英纳仕电气有限公司,专业从事有源电力滤波器APF、动态无功补偿器SVG的研发、生产和销售,提供先进的谐波治理与电能质量解决方案,电话0755-36962527
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在InAs／InxGa1-xAs核壳量子点中电子的能态研究
Normal incidence long wave infrared(λc9μm)InAs/In0.15Ga0.85Asdots-in-a-well detectors with background limited performance at 91 K, underf#1.7300 K background irradiance, are reported. Two distinct peaks(λp14.2μm andλp27.6μm) are observed in the spectral response, which could possibly ...
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