Lyes - Inas Inas (Live)
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砷化铟(InAs)纳米线 InAs纳米线 砷化铟纳米线 砷化铟,是一种无机化合物,化学式为InAs,是一种化合物半导体材料,主要用作光学材料、催化剂等。纳米线可以被定义为一种具有在横向上被限制在100纳米以下(纵向没有限制)的一维结构。悬置纳米线指纳米线在真空条件下末端
InAs是具有仅0.36eV(300K)的直接带隙和0.025me的有效电子质量的半导体。通常,InAs需要与其他III-V材料结合用于器件应用,因此在某些情况下需要异质外延生长。在GaAs(100)衬底上生长的InAs外延层在光电子领域,特别是在红外探测器和激光器领域具有重要意义。
在这些应用中,InAs的极化值一直是一个备受关注的话题,它在电子以及光学性能上起着至关重要的作用。极化值,不仅仅是一个物理学上的概念;它的大小与方向直接影响到材料的电学特性以及器件的效率。极化值我们可以从材料得电子结构谈起。InAs是一种IIIV族化合物,其晶格常数以及带隙等物理特性致使它在多种高科技领域中...
23.砷化铟(InAs)是一种优良的半导体化合物,有广泛用途。(1)基态In的价层电子排布式为5s25p,In在周期表中的位置是(2)在Ar保护下分别将InCl;和AsCl;在气化室中加热转化为蒸气,在反应室中混合反应,即可得到橘黄色的InAs晶体。已知: AsCl_3 和InCl3均为分子晶体。 AsCl_3 沸点为130℃,InCl3沸点为500℃...
InAs/GaSb超晶格光敏芯片与读出电路采用倒装互连的形式构成红外探测器芯片。红外光透过GaSb衬底后,被InAs/GaSb光敏材料吸收而转换为电信号;经互连电路的读出、转换、放大和除噪声处理后实现光电信号输出。因此,入射到光敏芯片上的红外光越强,探测器输出的电信号也越强,探测器成像效果就越好。但是,探测器正常工作时要降...
砷化铟 (InAs) 单晶基片 描述: 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In - AsPSb,InNAsSb 等异质结材料 , 制作波长 2 ~ 14μm 的红外发光器件,用 InAs 单晶衬底还可以外延生长 AlGaSb * 晶格结构材料 , 制作中红外量
砷化铟(InAs)是一种优良的半导体化合物,有广泛用途。(1)基态In的价层电子排布式为5s25pl,In在周期表中的位置是 第五周期ⅢA族。(2)在Ar保护下分别将In