制造商编号IMBF170R1K0M1XTMA1 制造商Infineon(英飞凌) 唯样编号A-IMBF170R1K0M1XTMA1 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 IMBF170R1K0M1XTMA1.pdf 参数信息常见问题 参数有误?
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MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种功率开关应用。该晶体管采用了先进的封装技术和材料,具有优异的热性能和可靠性,能够在高温和高压的环境下稳定工作。 IMBF170R1K0M1的主要特点包括: 1. 低导通电阻:该晶体管的导通电阻非常低,能够在高电流下保持低的功耗和高效率。 2. 高开关速度:...
型号 IMBF170R1K0M1XTMA1 封装 TO263-7 批号 23+ 数量 12000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 SiC 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-263-7 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 1.7 kV Id-连续漏极电流 5.2 A Rds On-漏源导通电阻 1 Ohms Vgs - 栅极-源极电...
品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号IMBF170R1K0M1XTMA1 商品编号C3279264 商品封装TO-263-7-13 包装方式 编带 商品毛重 1.7克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET) 封装类型 单管 沟道类型 1个N沟道 配置 - 漏源击穿电压(Vds) 1700V 连续漏极电流(Id)...
IMBF170R1K0M1 采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩSiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。 特征描述...
IMBF170R1K0M1静态特性(Tvj = 25°C): IMBF170R1K0M1动态特性(Tvj = 25°C): IMBF170R1K0M1开关特性,电感负载: 采用1700 V CoolSiC™ MOSFET 的62.5W三相功率转换器辅助电源参考板 The reference board “REF_62W_FLY_1700V_SiC” was developed to support customers designing auxiliary power suppli...
IMBF170R1K0M1参数: 漏源电压:1700V 直流漏极电流:5.2A 功率耗散:68W 工作结温:-55~175℃ 储存温度:-55~150℃ 漏极源导通状态电阻:1000mΩ 栅极-源极阈值电压:4.5V 输入电容:275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种功率开关应用。该晶体管采用了先进的封装技术和材料,具有...
革命性的半导体材料-碳化硅 针对飞回拓扑进行了优化 12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容 非常低的开关损耗 基准栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V 用于EMI优化的完全可控dV/dt 优点 降低系统复杂性 直接从飞回控制器驱动 效率提高和冷却工作量减少 实现更...
IMBF170R1K0M1XTMA1 价格参考￥ 32.77374 。 Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1 封装/规格: TO263-8, SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7。你可以下载 IMBF170R1K0M1XTMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: IMBF170...