型号 IMBF170R1K0M1XTMA1 封装 TO263-7 批号 23+ 数量 12000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 SiC 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-263-7 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 1.7 kV Id-连续漏极电流 5.2 A Rds On-漏源导通电阻 1 Ohms Vgs - 栅极-源极电...
1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日 库存: 1 352(1起订) 数量: X28.8792(单价) 总价: ￥ 28.8792 加入购物车立即购买 品牌:Infineon(英飞凌) 型号: IMBF170R1K0M1XTMA1 商品编号: DS0152347 封装规格: TO-263-7-13 商品描述: EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 ...
品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号IMBF170R1K0M1XTMA1 商品编号C3279264 商品封装TO-263-7-13 包装方式 编带 商品毛重 1.7克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET) 封装类型 单管 沟道类型 1个N沟道 配置 - 漏源击穿电压(Vds) 1700V 连续漏极电流(Id)...
制造商产品编号IMBF170R1K0M1XTMA1 库存编号3500942 产品范围CoolSiC 也称为IMBF170R1K0M1, SP002739692 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian 查看所有技术文档 添加进行比较 包装选项 241 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存) 数量价钱 (含税)
参数:IMBF170R1K0M1XTMA1 (IMBF170R1K0M1) FET 类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V,15V 不…
1香港交期(工作日):5-13 库存: 11000(1000起订) 11000(1000起订) 12000(1000起订) 数量: X18.04755(单价) 总价: ￥ 18047.55 品牌:Infineon(英飞凌) 型号:IMBF170R1K0M1XTMA1 商品编号:DS0152347 封装规格: 商品描述: EDA模型 查看详情 原理图符号 ...