型号 IMBF170R1K0M1XTMA1 封装 TO263-7 批号 23+ 数量 12000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 SiC 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-263-7 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 1.7 kV Id-连续漏极电流 5.2 A Rds On-漏源导通电阻 1 Ohms Vgs - 栅极-源极电...
制造商编号IMBF170R1K0M1XTMA1 制造商Infineon(英飞凌) 唯样编号A-IMBF170R1K0M1XTMA1 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 IMBF170R1K0M1XTMA1.pdf 参数信息常见问题 参数有误?
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IMBF170R1K0M1 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
IMBF170R1K0M1XTMA1 价格参考￥ 32.77374 。 Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1 封装/规格: TO263-8, SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7。你可以下载 IMBF170R1K0M1XTMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: IMBF170...
型号:IMBF170R1K0M1XTMA1 品牌:INFINEON 封装:TO263-8 描述:Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1 国内价格 2+35.66267 250+35.30321 500+33.54641 库存:934 去购买 型号:IMBF170R1K0M1XTMA1 品牌:Infineon 封装:TO263-8 描述:碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 国内价格 香港价...
品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号IMBF170R1K0M1XTMA1 商品编号C3279264 商品封装TO-263-7-13 包装方式 编带 商品毛重 1.7克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET) 封装类型 单管 沟道类型 1个N沟道 配置 - 漏源击穿电压(Vds) 1700V 连续漏极电流(Id)...
型号: IMBF170R1K0M1XTMA1 品牌: Infineon(英飞凌) 立即咨询 立即购买 --- 产品详情 --- 特点 革命性的半导体材料-碳化硅 针对飞回拓扑进行了优化 12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容 非常低的开关损耗 基准栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V 用于EMI优化的完全可控dV/dt...
1香港交期(工作日):5-13 库存: 11000(1000起订) 11000(1000起订) 12000(1000起订) 数量: X17.93992(单价) 总价: ￥ 17939.92 品牌:Infineon(英飞凌) 型号:IMBF170R1K0M1XTMA1 商品编号:DS0152347 封装规格: 商品描述: EDA模型 查看详情 原理图符号 ...
1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日 库存: 1 352(1起订) 数量: X28.8792(单价) 总价: ￥ 28.8792 加入购物车立即购买 品牌:Infineon(英飞凌) 型号: IMBF170R1K0M1XTMA1 商品编号: DS0152347 封装规格: TO-263-7-13 商品描述: EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 ...