宽带隙化合物半导体的领导者贰陆公司(Nasdaq: IIVI)宣布,它完成了一项多年的合同,向英飞凌科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)提供用于电力电子的150毫米碳化硅(SiC)基片。 电动汽车(EV)市场的飞速增长推动了电动汽车动力系统、车载电池充电装置和充电基础设施对基于SiC的电力电子设备的需求。与最先进的硅基器件相比,...
市场消息,CoherentCorp(原II-VI)今天宣布推出其8英寸碳化硅外延晶片(SiC 外延晶片)。目前公司可出货的产品为350μm和 500 μm的衬底和外延片产品。 作为一家专注于 SiC 衬底和外延片的制造商,Coherent将这些元素结合在一起,提供卓越的质量、性能和可靠性。8英寸 SiC 外延晶片采用尖端厚度和掺杂均匀性设计,树立了...
从历史上看，英飞凌在各种应用的SiC晶圆方面势头强劲，在12亿美元的市场中占有21%的份额。作为SiC顺风的验证，IIVI协议将为英飞凌提供更大的产能，尽管它之前已经与其他SiC晶圆供应商达成了重要协议。2018年，英飞凌收购了Silectra，用于内部采购SiC晶圆。2018年，英飞凌与Wolfspeed签署了一项价值1亿美元的SiC晶圆供应协议...
集微网消息，II-VI正在美国和瑞典加快对6英寸和8英寸碳化硅（SiC）衬底和外延晶圆制造的投资。公司此前宣布，将在未来十年投资10亿美元，用于美国宾夕法尼亚州伊斯顿和瑞典基斯塔的大规模工厂扩建，以期成为全球最大的供应商之一。据eeNews报道，II-VI将在美国伊斯顿大规模建设近30万平方英尺的工厂，以扩大其最先进...
8月17日,II-VI宣布完成了一项超过1亿美元的合同,为东莞天域半导体科技有限公司提供150nm碳化硅(SiC)基片。该基片将于本季度开始交付,直到2023年年底。 东莞天域半导体成立于2009年,是中国第一家最大的SiC外延晶片制造商之一。该公司与II-VI公司签署了一份长期供应合同,并支付了预付款,以确保其150nm SiC基板产能将...
碳化硅使电力电子器件更小、更高效,与最先进的硅基器件相比,其系统级总成本更低。天宇公司是中国最早和最大的SiC外延片制造商之一,已经与II-VI ,签订了一份长期供应合同,以确保150毫米SiC基片的产能,满足其2023年的需求。 "2021年11月,我们很高兴地宣布,天宇公司选择了II-VI ,作为其主要的战略合作伙伴,供应...
集微网消息，8月17日，宽带隙化合物半导体的领导者贰陆公司（II-VI Incorporated）官方宣布完成了一项超过1亿美元的合同，向东莞天宇半导体科技有限公司提供150毫米的碳化硅基片，从本季度开始到2023年年底交付。天宇公司是中国最早和最大的SiC外延片制造商之一，已经与II-VI签订了一份长期供应合同，以确保150毫米SiC...
宽带隙半导体制造商 II-VI 正在加速投资 150 毫米和 200 毫米 SiC 衬底和外延片制造，并在宾夕法尼亚州伊斯顿和瑞典基斯塔进行大规模工厂扩建。这是该公司先前宣布的未来 10 年对 SiC 投资 10 亿美元的一部分。全球能源消耗脱碳的紧迫性正在加速“万物电气化”，并通过采用 SiC 推动电力电子技术发生翻天覆地的...
垂直集成医疗诊断激光系统航空航天产品线供应商GaAsH-VI宣布,其高功率半导体激光器的完整产品线现已在其6英寸GaAs平台上提供.激光系统市场(包括工业4.0,医疗诊断和手术,航空航天和国防)的竞争日益激烈,需求预计会增长.这使半导体激光二极管供应商受到青睐,因为他们在推动规模经济时能提供可靠的量产.半导体信息...
我们提炼稀有金属。我们种植和制造了一系列晶体、陶瓷和金属基复合材料,这些材料通过独特的光学、电学、磁学、热学和机械性能中的一种或多种来区分。 我们的化合物半导体材料包括SiC衬底,以及InP和GaAs基外延晶片。这些产品支持射频、电源和光电子设备,如5G无线、电动汽车和数据中心收发器。