IGBT有正温度系数和负温度系数,正温度系数IGBT就是在Ic电流一定情况下,IGBT的Vce(sat)随着温度升高而降低;负温度系数IGBT就是在Ic电流一定情况下,IGBT的Vce(sat)随着温度升高而升高; 1.3续流二极管(FWD)阻断电压VRRM 指反向重复峰值电压(也称反向浪涌电压, peak repetitive reverse voltage),续流二极管在用于PWM调制...
解读:1、短路时电流迅速上升,斜率取决于母线电压和线路杂散电感;2、短路电流达到数倍额定电流水平时不再上升,IGBT进入退饱和状态,Vce电压处于高水平;3、此时IGBT芯片功耗很大,温度急速上升,电流会随之略有减小;4、在规定的管段时间tsc内,必须关闭IGBT,否则极易烧坏。 七、VCEsat:集电极-发射极饱和电压 规定条件下,...
也称为退饱和检测，即当出现短路发生时，电流急剧增加，IGBT的C-E两端电压VCE从饱和状态进入线性区。
当CE电压进一步增大，MOS沟道末的电势随着VCE而增长，使得栅极和硅表面的电压差很小，进而不能维持硅表面...
T3阶段:Vce下降到饱和压降Vcesat,此时驱动电流给Vgc电容充电,Vge维持在米勒平台。 T4阶段:IGBT彻底导通,此时门级电流Ig给Cge充电直到设定的驱动电压,驱动电流下降为零,侧面反映了IGBT属于电压驱动型器件。 IGBT驱动算法: 以IGBT为例,规格书通常会给出门极电荷Qg_int,门极输入电容Cies,规格驱动楷体电压Vgon_spec以及...
参数分类分为静态参数和动态参数,需要特别注意的是,区分开这些参数代表芯片还是模块很重要,举个栗子,手册中给出的Vcesat一般是芯片值,不包含导线压降,而实际测试中往往把导线压降一起测进去。 正所谓由浅入深,今天先讨论静态参数 VCES:集电极-发射极阻断电压 ...
EXB841 工作原理如图1,当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us以后IGBT正常开通,VCE下降至3V左右,6脚电压被 钳制在8V左右,由于VS1稳压值是13V,所以不会被击穿,V3不导通,E点的电位约为20V,二极管VD截止,不影响V4和V5正常工作。 当14脚和15脚无电流流过,则V1和V2导通,V2的导通使V4截止、V5导通,IGBT栅极...
VCE是指IGBT在导通状态下,集电极与发射极之间的电压。VCE的大小直接影响到IGBT的功耗和结温。当VCE增大时,IGBT的功耗也会相应增大,从而导致结温升高。反之,当VCE减小时,IGBT的功耗减小,结温降低。 结温对VCE的影响 结温是指IGBT内部PN结的温度,它对IGBT的性能和可靠性具有重要影响。当结温升高时,IGBT的导通压降会减小...
6、极电压VCE逐渐降低,耗尽层宽度降低,Cdep增大;当耗尽层消失,Cdep将变为无穷大,此时虽然VGE(on)为CGC充电,但CGE却几乎没有电流(CGE属于并联大电阻),VGE变化很小,即为米勒效应。因为Cox、Cdep串联,所以米勒电容CresCox。上述的Cres即为米勒电容,当IGBT在开关时,会由于寄生米勒电容而产生米勒平台,即米勒效应。米...
导通损耗可以通过规格书中的VCE(sat)(集-射极饱和电压),VCE0(集-射极初始电压),rce(集-射极电阻)参数来计算;开关损耗可以通过Eon(开通损耗能量)、Eoff(关断损耗能量)参数来计算。规格书中的热阻包括每个开关的Rth(j-c)(结-外壳热阻)、Rth(c-s)(外壳-散热器热阻),以及每个模块的Rth(c-s)(外壳-散热器...