定义:IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模块,是一种高度集成的半导体器件,通常包括功率开关(如IGBT)、驱动电路、保护电路(如过热、过压、过流、欠压等保护)和控制电路等多个功能模块。 结构:IPM模块内部集成了多个功能模块,这些模块通过内部连接实现高度集成化设计。 PIM模块 关于PIM...
PIM模块:整流桥+制动单元+三相逆变(IGBT桥)。PIM模块拓扑结构主要是集成了三相整流桥、刹车系统、六管三相逆变和NTC热敏电阻,模块集成度高。该模块与分立器件方案相比,极大的简化了设计电路的布局和散热系统的搭建。 IPM模块:集成门级驱动及众多保护功能(过热,过流,过流,欠压等保护)的IGBT模块,即智能功率模块。IPM...
功率模块IGBT、IPM、PIM 的性能及使用时有关问题的综述 1 IGBT主要用途 IGBT是先进的第三代功率模块，工作频率1-20KHZ，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电 路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十 年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR...
1,IGBT单管:IGBT,封装较模块小,电流通常在100A以下,常见有TO247 等封装,sg 本人常用。 2,IGBT模块:模块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起。 3,PIM模块:集成整流桥+制动单元(PFC)+三相逆变(IGBT桥) 4,IPM模块:即智能功率模块,集成门级驱动及众多保护功能(过热保护,过压,过流,欠压保护等)的IGBT模块 IGBT...
IGBT单管、IGBT模块、PIM模块和IPM模块都与功率电子器件有关，它们在不同应用中有不同的用途。1. IGBT单管（Insulated Gate Bipolar Transistor）：IGBT单管是一种功率半导体器件，通常由一个单独的IGBT晶片组成。IGBT是一种结合了MOSFET和双极晶体管的半导体器件，用于高压、高电流应用，如电机驱动、逆变...
由于PIM模块在电力电子领域的具体定义可能不明确,以下将以IPM模块为例,与IGBT进行比较,以阐述它们之间的区别。 1. 定义与结构 IGBT:全称Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管),是一种结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型晶体管(BJT)特性的高压、高功率电子器件。IGBT具有低导通电阻和...
由于PIM模块在电力电子领域的具体定义可能不明确,以下将以IPM模块为例,与IGBT进行比较,以阐述它们之间的区别。 1. 定义与结构 IGBT:全称Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管),是一种结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型晶体管(BJT)特性的高压、高功率电子器件。IGBT具有低导通电阻和...
三菱电机株式会社作为日本的一家老牌企业,在 IGBT 领域也有着不俗的表现。公司注重技术研发和产品创新,通过推出新型 IGBT 模块和 IPM 模块,不断提升产品的性能和可靠性。三菱电机的 IGBT 产品在工业控制和变频家电等领域有着广泛的应用。 卷起来的技术
图1是某IGBT PIM模块的内部电路图,不同公司、不同型号PIM的内部电路图大致如此,所不同是电压/电流规格。 图1 富士7MBR35UA120模块(PIM)的内部电路图 IPM不仅包含一定数量的功率晶体管,还包含驱动电路和完整的保护电路,功率晶体管也不仅限于7 in 1,也可以是2 in 1、6 in 1 等;电路构成更像下文要说的大...
根据IHS Markit 统计数据显示,2018年全球IGBT分立器件市场规模13.1亿美元,IPM模块16.8亿美元,IGBT模块32.5亿美元 。 2016年中国IGBT市场规模为15.40亿美元,2018年为19.23亿美元,对应复合年均增长率为11.74%。 根据数据显示2019年全球IGBT各应用领域的市场规模 ,其中工业领域占比28%,汽车领域27%,其次是通信领域 15%,消...