②、缺点:是导通后管压降比普通晶闸管人,工作频率比GTR低,触 发功率特别是门极反向触发关断电流较人。 MOSFET的特点:优点:①、输入阻抗高,属于电压型控制器件 2、开关速度快 3、热稳定性好 缺点:①、电压还不能太高,电流容量也不能太大,目前只适川 与小功率电力电子变流装置 ②、由于输入阻抗太高,存在静电...
器件 优点 缺点 IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。 开关速度低于 P-MOSFET ,电压、电流容量不及 GTO 。 GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低。 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
解:对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表: 器件 优点 缺点 IGBT 开关速度高,开 关损耗小,具有 耐脉冲电流冲击 的能力,通态压 降较低,输入阻 抗高,为电压驱 动,驱动功率小 开关速度低于 电 力 MOSFET,电压,电流容量 不及GTO GTR 耐压高,电流大, 开关特性好,通 流能力强,饱和 压降低...
解:对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET优缺陷比较如下表: 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高,开关损耗小,具备耐脉冲电流冲击能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压减少 开关速度低,为电流驱动,所需...
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,所需驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但电流容量小,耐压低,一般用于功率不超过10kw的系统。 绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场,成为中小功率系统的主导器件,并正在提高电压、电...
试比较 GTR、GTO、MOSFET、IGBT之间的差异和各自的优缺点。 答:见下表器件优 点缺 点GTR耐压咼,电流大,开关特性好, 通流能力强,饱和压降低开关速度低,电流驱动型需要驱动功率 大,驱动电路复杂,存在 2次击穿冋题GTO电压、电流容量很大,适用于大 功率场合,具有电导调制效应, 其通流能力很强电流关断增益很小,关...
IGBT GTR(电力晶体管) SCR MOSFET 器件各自优缺点。速度,全控,半控,电流,电压,载流子等。MOS管特点,正向平均电流定义。
GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应 有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施 加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关 断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱 动功率...
1. GTO（门极可关断晶闸管）：具有较大的电压和电流容量，适用于大功率应用场景。其特点包括电导调制效应，强大的通流能力，但电流关断增益较小。在关断时，需要较大的门极负脉冲电流，开关速度相对较低，因此驱动功率较大，驱动电路也更为复杂。此外，GTO的开关频率较低。2. GTR（电力晶体管）：能够...
百度试题 结果1 题目试说明IGBT、GTR和GTO各自的优缺点是什么(5分) 相关知识点: 试题来源: 解析 解:对IGBT、GTR和GTO的优缺点的比较如下表: 反馈 收藏