解:对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表: 器件 优点 缺点 IGBT 开关速度高,开 关损耗小,具有 耐脉冲电流冲击 的能力,通态压 降较低,输入阻 抗高,为电压驱 动,驱动功率小 开关速度低于 电 力 MOSFET,电压,电流容量 不及GTO GTR 耐压高,电流大, 开关特性好,通 流能力强,饱和 压降低...
器件 优点 缺点 IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。 开关速度低于 P-MOSFET ,电压、电流容量不及 GTO 。 GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低。 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
2. GTR（电力晶体管）：能够承受较高的电压，电流容量较大，开关特性优良。3. MOSFET（电力场效应晶体管）：驱动电路相对简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高。其热稳定性优于GTR，但电流容量较小。4. IGBT（绝缘栅双极晶体管）：结合了GTR和MOSFET的优点，同样具有电导调制效应和强大的通流...
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较 器件优点缺点 IGBT 开关速度较高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态电压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压、电流容量不及GTO GTR 电流大,通流能力强,饱和电压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在...
IGBT由于存在拖尾现象，通常在高频应用中不如MOSFET。IGBT在100KHz以上的频率下表现不佳，而VMOS则可以适应更高的频率。SCR的频率较低，通常在几百Hz左右，GTO的频率也仅比SCR略高，大约在几百Hz到几千Hz之间。相比之下，GTR的频率略高，可以达到几千Hz，但最多也只有几十KHz。因此，从开关损耗的...
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。相关知识点: 试题来源: 解析 绝缘栅双极晶体管IGBT: (1)优点:开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。 (2)缺点:开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。 电力晶体管GTR: (1)优点:开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。 (2...
答:GTR的特点:①、由于GTR为电流驱动,故工作频率不高; ②、GTR存在二次击穿问题。 GTO的特点:①、优点:具有普通晶闸管耐压高、电流人的特点,同时又具有与GTR 相同的可关断的 ②、缺点:是导通后管压降比普通晶闸管人,工作频率比GTR低,触 发功率特别是门极反向触发关断电流较人。 MOSFET的特点:优点:①、输入阻抗...
GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好 mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要...
简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。 正确答案 答案解析 略 真诚赞赏,手留余香 小额打赏 169人已赞赏
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿...